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盛美半導體設備前段半導體制造清洗設備 Ultra C Tahoe取得重要性能突破

本文作者:盛美半導體       點擊: 2024-12-05 10:28
前言:
提升先進芯片制造中的清洗效能; 顯著節省化學品用量,對環境更友好
2024年12月4日--盛美半導體設備(NASDAQ:ACMR),作爲一家爲半導體前道和先進晶圓級封裝應用提供晶圓工藝解決方案的卓越供應商,今天宣布旗下清洗設備産品Ultra C Tahoe取得重要性能突破。此次提升能夠滿足更先進的晶圓代工、邏輯器件及存儲器件的嚴格技術要求。

 
Ultra C Tahoe的專利Hybrid架構率先實現將槽式清洗模塊和單片晶圓清洗腔體結合到同一設備中。該架構具備更強的清洗性能、更高的産能和更好的工藝靈活性。在中低溫硫酸 (SPM)清洗工藝中,Ultra C Tahoe可以達到獨立單片晶圓清洗設備的效果,並可減少高達75%的化學品消耗。據盛美上海估算,僅硫酸一項每年就可節省高達50萬美元的成本,且在硫酸廢液處理上可進一步降低成本並對環境更友好。

盛美董事長王晖博士表示:
“隨著人工智能不斷走近消費者生活,我們預計公衆會越來越關注半導體芯片制造對環境汙染的影響。我們相信,盛美上海的Ultra C Tahoe能夠幫助客戶提高先進人工智能芯片的産量,同時減少對環境的影響。”
“盛美擁有一支富有創造力的研發團隊,Ultra C Tahoe再次見證了該團隊的優異表現。我們相信,Tahoe平台完全有能力在約占整個清洗市場20%份額的SPM中低溫應用領域占據重要地位。

中國大陸多家大型晶圓廠客戶已將升級後的Ultra C Tahoe投入生産。多家其他邏輯器件和存儲器客戶正在對該設備進行評估,預計更多設備將在2024年底之前交付。

升級版Ultra C Tahoe的新功能和優勢:
•更強的顆粒去除性能:
Tahoe平台具備強大的清洗能力,在26納米顆粒測試中實現了平均顆粒數小于6個的標准,可滿足先進節點制造的嚴格要求。該設備未來會增加更精密的微粒過濾系統,能夠去除1x納米的微粒,可用于行業領先的邏輯和內存應用。
•更高的産能:
升級後的25槽的槽式模塊(之前爲13槽)和9個單晶圓腔體(之前爲8個腔體)每小時産能超過200片晶圓,可與12腔體SPM系統媲美。
•更好的成本控制和環保水平:
Ultra C Tahoe可將硫酸消耗量減少高達75%,從而降低大批量制造成本並滿足越來越嚴格的環保法規以實現可持續發展的目標。
•更廣泛的工藝應用:
已通過30 道生産認證,包括輕摻雜漏極 (LDD) 和源極/漏極(SD) 等關鍵生産流程,更多道數和應用正在開發中。
•更靈活的單晶圓清洗應用:
可選配置包括新型噴塗技術,盛美的專利SAPS/TEBO技術以及HOT IPA幹燥技術,從而提高了該設備在多種工藝應用中的通用性。

關於盛美半導體設備
盛美半導體設備從事對先進積體電路製造與先進晶圓級封裝製造行業至關重要的單晶圓及槽式濕法清洗設備、電鍍設備、無應力拋光設備、立式爐管設備、前道塗膠顯影設備和PECVD設備的開發、製造和銷售,並致力於為半導體製造商提供定制化、高性能、低消耗的工藝解決方案,來提升他們多個步驟的生產效率和產品良率。
 

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