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快捷半導體碳化矽 (SiC) 解決方案首推雙極電晶體

本文作者:廖惠如       點擊: 2012-12-20 11:00
前言:


照片人物: 快捷半導體亞太區市場行銷副總裁藍建銅

 

工業應用及電力電子設計者致力於實現更高功率密度,符合嚴格的效能法規及系統正常工作時間需求,但在其設計中面臨不斷降低功率損耗及提高效率方面的挑戰。然而,在諸如可再生能源、工業電機驅動器、高密度電源、汽車、井下作業設備等應用中,提高這些關鍵設計能力可能使設計變得複雜,以及整個系統成本增加。為了協助設計者克服這些挑戰,高性能電源行動產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor) 將技術延伸至創新的高性能功率電晶體領域,宣告碳化矽 (SiC) 技術解決方案是功率轉換系統的理想選擇。

 

快捷半導體將 SiC 型解決方案引入產品陣容。先進 SiC 雙極電晶體 (BJT) 系列是快捷半導體 SiC 產品系列首批發佈產品之一,具備高效能、高電流密度、耐用性高,且可輕易在高溫條件下運作。快捷半導體的 SiC  BJT 運用極為高效的電晶體,可實現更高開關頻率 ,因其導通開關 損耗更低(約 (30-50% 不等),在同樣的系統型態條件下,可提供高達 40% 的輸出功率。

 

快捷半導體亞太區市場行銷副總裁藍建銅表示,快捷的這批SiC BJT是迄今最高效率的1200V電源轉換開關,採直接正向驅動,常關型特性可降低風險,複雜性及性能受限的設計。這些強大的 BJT 能使用更小的電感、電容及散熱片,總體系統成本可降低 20%。 這些業界領先的 SiC BJT,憑藉其可實現超高效率以及優越的短路和反向偏壓安全工作區域的性能等級,將會在最佳化高功率轉換的電源管理應用中,扮演重大的角色。


 

快捷半導體的 SiC 解決方案:

l  充分利用快捷半導體的廣泛半導體元件產品及模組封裝技術的優勢來優化、半標準(Semi-Standard)及自訂技術解決方案

l  透過功能整合與設計支援資源簡化工程難題的先進技術,將元件數目降至最低,同時縮減工程時間

l  將領先的元件技術整合至更小的先進封裝,同時具備尺寸、成本及節能優勢,滿足元件製造商與晶片組供應商的要求

 

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