宜普公司的氮化鎵場效應電晶體具卓越開關速度，爲具非常高的共振頻率的無線電源傳送提高功率電子的效率
宜普(EPC)公司與WiTricity共同開發一個高效無線電源展示系統，內含EPC具高頻開關性能的氮化鎵電晶體。使用宜普的氮化鎵場效應電晶體具備可以在高頻、高壓及高功率情況下有效率地工作的優異性能。
WiTricity的創始人發明了具非常高的共振頻率的無線電源傳送。WiTricity授權這個知識產權給其他公司運用這項全新技術來創建自己的產品。由於這項技術可以遠距離傳送電源，適用於廣闊的應用領域如消費、醫療、工業及汽車等應用。使用非常高共振頻率的無線電源傳送可滿足業界嚴格的監管指引，並對人體及動物皆安全。
在市場上很多無線充電產品是使用傳統的磁感線圈，工作頻率是100至300KHz,並使用E、F及S類放大器的轉換器拓撲。最近業界團體如消費電子協會及無線電源聯盟（A4WP）提出無線充電系統需要一個更高的頻率標準（6.78 MHz）。在更高的頻率下，傳統的矽基功率電晶體(MOSFET) 的開關性能已接近它的極限。相比MOSFET，宜普公司的氮化鎵場效應電晶體在這個更高的頻率下則可以提供更高效率。
宜普與WiTricity公司共同開發這個無線電源展示系統，這個系統是一個工作在6.78MHz的D類電源系統，能夠向負載提供高達15W的功率。使用這個展示系統可以簡化無線電源技術的評估流程。這個系統內的所有重要元件都是易於連接，以展示無線電源傳送如何供電給一個元件。
關於宜普公司
宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商，爲首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、包絡跟蹤、乙太網供電、太陽能微型逆變器、能效照明及D類音頻放大器，元件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。
宜普電源轉換公司在2007年11月創建。在公司成立之初，三位創始人就清楚地認識到矽產品已經達到了性能極限。同时，可能替代矽產品的就是氮化鎵元件，但那個時候它在成本和元件功能方面還是存在著很大的問題。幾經多年的研發，宜普公司在2009年6月推出了首批商用增強型GaN電晶體(eGaN®)，該產品在臺灣的一家低成本代工廠製造，而這家工廠以前一直在生產標準矽CMOS產品。宜普預期在要求更高效率、更小體積或更高工作頻率的應用中，eGaN FET將會很快取代傳統的功率MOSFET。作為首家在市場上推出eGaN FET的公司，該公司將繼續帶領eGaN FET的發展，為電源系統設計工程師提供矽功率MOSFET無法實現的性能。
