氮化鎵(GaN) 電晶體的開關速度比矽 MOSFET快上許多，從而提升實現更低的開關損耗 的可能性。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類 型會限制 GaN FET 的開關性能。將 GaN FET 與驅 動器集成在一個封裝內可以減少寄生電感，並且優 化開關性能。集成驅動器還可以實現保護功能
圖 : 由獨立封裝內的驅動器驅動的 GaN 裝置 (a)；一個集成 GaN/ 驅動器封裝 (b)。
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