大規模資料中心、企業伺服器或電訊交換站使得功耗快速成長，因此高效 AC/DC 電源對於電信和資料通信基礎設施的發展非常重要。但是，電力電子業界中的矽 MOSFET 已達到其理論極限。同時，近來氮化鎵 (GaN) 電晶體已成為能夠取代矽基MOSFET 的高性能開關，從而可提高能源轉換效率和密度。為了發揮 GaN 電晶體的優勢，需要一種具有新規格要求的新隔離方案。
GaN 電晶體的開關速度比矽 MOSFET 要快得多，並可降低開關損耗，原因在於：
█閘極電容和輸出電容更低。
█較低的漏源極導通電阻 (RDS(ON)) 可實現更高的電流操作，從而降低了傳導損耗。
█無需體二極體，因此反向恢復電荷(QRR)低或為零。
圖: 適合電信和伺服器應用的典型 AC/DC 電源。
