簡介
訊號處理單元和系統單晶片 (SoC) 單元通常具有突然變化的負載瞬態變化。此種負載瞬態變化將干擾電源電壓，而電源電壓在射頻 (RF) 應用中極其重要，因為變化的電源電壓會高度影響時脈頻率。因此，射頻單晶片系統 (RFSoC) 通常在負載瞬態過程中使用消隱時間。在 5G 應用中，資訊品質與轉換區間中的消隱時間高度相關。因此，對於任何射頻單晶片系統 (RFSoC) 來說，越來越需要減少電源側的負載瞬態效應，以提升系統級性能。本文將介紹幾種在射頻應用中實現電源快速瞬態響應的方法。
用於射頻應用的快速瞬態 Silent Switcher 3 系列
實現快速瞬態電源軌的最直接方法之一是選擇具有快速瞬態性能的穩壓器。Silent Switcher 3 系列 IC 具有極低頻輸出雜訊、快速瞬態響應、低 EMI 輻射和高效的特性。其採用超高性能誤差放大器設計，即使採用激進的補償方法也能提供額外的穩定性。4MHz 的最大切換頻率使 IC 能夠在固定頻率峰值電流控制模式下將控制迴路的頻寬推至 50kHz 的範圍。表 1 列出了設計人員可以選擇用以實現快速瞬態性能的 Silent Switcher 3 IC。
圖1:LT8625SP 的典型應用電路，動態 / 靜態射頻負載分離
