面對社會和監管要求，電源效率一直是電子系統的優先事項。特別是對於從電動汽車(EV) 到高電壓通訊和工業基礎設施的應用，電源轉換效率和功率密度是設計成功的關鍵。
為了滿足這些要求，開關模式電源系統的設計者需要從使用傳統的矽(Si) 基金屬氧化物場效應電晶體(MOSFET) 和絕緣閘雙極電晶體(IGBT) 轉為使用其它元件，因為矽元件正在迅速接近其理論極限。
圖：基於矽基底的GaN FET 橫截面圖。 圖片來源：Nexperia
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