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DRAM現貨市場買氣熱絡,12月上旬合約價呈上漲格局

本文作者:TrendForce       點擊: 2012-12-19 16:16
前言:

20121219---根據全球市場研究機構TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調查顯示,繼11月下旬DRAM合約價格小跌3.17%,受到現貨價格的激勵,12月上旬的模組價格亦同步呈現上揚走勢,4GB均價回到US$15.5水位,小漲1.64%2GB模組均價同樣受惠,回到US$8.9水位,漲幅同樣有1.71%。觀察此波上漲趨勢,雖然幅度仍小,但在需求端持續低迷的情況下還能夠止住跌勢,足以顯示PC OEM端在歷經漫長的庫存調節之後總算回到相對健康的水位,買貨意願亦逐步提高。在供給端方面,目前正是各家DRAM廠執行製程轉進的時間點,兩家韓系廠由原先供貨的3X奈米逐步轉往生產難度更高的2X奈米製程,美系廠美光亦逐步拉高3X奈米的生產數量,現在正處於新舊製程世代交替的銜接點,現貨市場還能看到某些品項顆粒供貨吃緊,帶動價格往上攀升。

 

今年以來受到DRAM持續供過於求的影響,現貨市場2Gb顆粒單價普遍呈現跌勢,甚至在10月下旬最低點來到US$0.817美元,直到12月開始起漲,至今與最低點相較已經呈現超過15%的漲幅。對合約市場而言,現貨價格仍具領先指標,再加上9月份各廠的減產效應陸續發酵,同時將生產的重心移向行動式記憶體,TrendForce預估減產持續進行前提下,供需間的產量將逐步趨近平衡,標準型記憶體持續了半年以上的跌勢可望暫時休止。

 

2013DRAM產業資本支出大減兩成,製程轉進速度放緩趨勢確立

 

由於DRAM產業連年供過於求使得此產業已經成為燒錢事業代名詞,近期廠商擴大產能與製程微縮,雖然可進一步降低成本,但由於競爭仍然激烈,廠商能夠獲利的機會有限,每年鉅額的資本支出就像是雙面刃,一方面若是縮減投資金額恐造成成本競爭力的不足,但若是過度投資,除了現金流的壓力以外,亦極有可能導致市場的供給過剩,造成先前投資無法回收。2012年由於需求面受到個人電腦出貨持續萎縮的影響,大部分DRAM廠都面臨財務虧損窘境,除了調整產品組合以外,競爭力較低的廠商為了保存手頭上僅有的營運現金,多以逐步減產來做為因應之道。

 

對於2013年的資本支出計畫,再度縮減投資金額已獲得業界共識。以產業龍頭三星半導體為例,由於垂直整合策略產生良好綜效,成為今年度唯一獲利的DRAM廠商,為了要對市況做出最好的反應,過去三星總是在其他廠商縮手投資金額時逆向大增資本支出,今年卻一反常態,除了進一步將PC DRAM生產轉向Mobile DRAM之外,同時也宣布將大幅縮減明年的資本支出,預估與今年相較減幅達48%,總金額僅有1.1億美元為歷年來最低。

 

其他DRAM廠亦在明年紛紛下修資本支出,根據TrendForce的調查,2013年整體DRAM產業的資本支出與2012年相較再度呈現21%的減幅,此舉將影響製程轉進的進度,3X奈米製程仍是2013年的主流,相較於過往一年可見2個世代製程的交替已不復見,製程轉進速度趨緩已是產業心照不宣的共識。由於DRAM產業的獲利模式受到需求端劇烈變化而產生結構性的改變,唯有供給端提出更有彈性的調整策略來因應,否則將很快面臨淘汰的命運。

 

TRENDFORCE簡介

集邦科技(TRENDFORCE)當前有4個主要的研究部門,分別是DRAMeXchangeWitsViewLEDinsideEnergyTrend,研究領域涵蓋DRAMNAND型快閃記憶體(Flash)、個人電腦(PC)、顯示面板、LED(發光二極體)以及綠能產業相關領域。

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