盛美半導體設備推出Ultra C vac-p面板級先進封裝負壓清洗設備， 進軍面板級扇出型先進封裝市場
前言：
利用負壓技術和IPA乾燥技術提高清洗效率，實現經濟高效的半導體先進封裝
20248月8日--作為一家為半導體前段和先進晶圓級封裝應用提供晶圓製程解決方案的卓越供應商，盛美半導體設備（NASDAQ:ACMR）於今日推出適用於扇出型面板級封裝應用的Ultra C vac-p負壓清洗設備。該設備利用負壓技術去除晶片結構中的助焊劑殘留物，顯著的提高了清洗效率 — 標誌著盛美成功進軍高增長的扇出型面板級封裝市場。盛美宣佈一家中國大型半導體製造商已訂購Ultra C vac-p面板級負壓清洗設備，設備已於7月運抵客戶工廠。
盛美董事長王暉博士表示：“在人工智慧、資料中心和自動駕駛汽車的推動下，新興的扇出型面板級封裝方法能夠提高計算能力、減少延遲並增加頻寬。此方法正在迅速成為關鍵解決方案，它將多個晶片、被動器件和互連整合在面板上的單個封裝內，可提供更高的靈活性、可擴展性以及成本效益。面板級負壓清洗設備標誌著盛美在解決下一代先進封裝技術的清洗挑戰方面邁出重要一步，彰顯了半導體製造領域的持續創新，兌現了盛美始終致力於滿足不斷演變的行業需求及其堅定的承諾。”
據Yole預測，扇出型面板級封裝方法的應用增長速度高於整體扇出市場整體增長速度，其市場份額相較於扇出型晶圓級封裝而言將從2022年的2%上升至2028年的8%。預計增長背後的主要動力是成本的降低。傳統矽晶圓的使用率低於85%，而面板的使用率高於95%，600x600毫米面板的有效面積是300毫米傳統矽晶圓有效面積的5.7倍，面板總體成本預計可降低66%。 面積利用率的提高帶來了更高的產能、更大的AI晶片設計靈活性以及顯著的成本降低。
在底部填充之前清除助焊劑殘留物是先進封裝流程中消除底部填充空隙的關鍵步驟。由於表面張力和有限的液體滲透力，傳統清洗方法在處理小凸起間距（小於40微米）和大尺寸晶片時比較困難。負壓清洗可使清洗液到達狹窄的縫隙，從而有效解決這一問題。此外，由於液體經過距離較長，因此傳統方法可能無法滿足較大晶片單元的清洗需求。採用負壓清洗功能設備後，整個晶片單元甚至是中心部位均可得到徹底清洗，有效避免殘留物影響器件性能。
關於Ultra C vac-p面板級負壓清洗設備
Ultra C vac-p面板級負壓清洗設備專為面板而設計，該面板材料可以是有機材料或者玻璃材料。該設備可處理510x515毫米和600x600毫米的面板以及大於7毫米的面板翹曲。
關於盛美半導體設備
盛美半導體設備從事對先進積體電路製造與先進晶圓級封裝製造行業至關重要的單晶圓及槽式濕法清洗設備、電鍍設備、無應力拋光設備、立式爐管設備、前道塗膠顯影設備和PECVD設備的開發、製造和銷售，並致力於為半導體製造商提供定制化、高性能、低消耗的工藝解決方案，來提升他們多個步驟的生產效率和產品良率。
