當前位置: 主頁 > 技術&應用 >
 

為什麼很難描述碳化矽功率 MOSFET 的特性

本文作者:張旭甯       點擊: 2019-12-16 13:15
前言:
開關瞬變與寄生效應結合在一起會阻礙對重要MOSFET 工作參數的精確測量

碳化矽(SiC) 功率MOSFET 受到很多關注,因為它們即可以快速切換,又能同時保持高阻斷電壓。但是它們出色的開關特性也存在潛在的缺點。由不理想的電路板佈局引起的寄生電感,以及碳化矽MOSFET 的快速dv/dt 和di/dt 品質,可能產生電壓和電流過沖,開關損耗和系統不穩定性問題。為了避免這些困難,設計人員必須深入瞭解碳化矽MOSFET 的開關特性。
 
此外,碳化矽MOSFET 的極快開關速度在標定器件時也存在挑戰。例如,設備選擇會影響測試精度和測量精度。驅動和功率級的高靈敏度設計和集成方案也在實現最小化電壓尖峰,EMI 和開關損耗等方面發揮作用。
 
 
 

電子郵件:look@compotechasia.com

聯繫電話:886-2-27201789       分機請撥:11