德州儀器高壓電源事業部GaN 產品線經理 Steve Tom與半導體行銷與應用資深應用工程師顏智鴻先生
汽車逐步邁向電氣化，電動車在大眾眼裡獲得一致好評，但同時消費者也希望電動車能充電更快、續航力更長，甚至重量更輕的車載系統。為此，德州儀器（TI）看好氮化鎵能夠解決眾多問題，推出適用於汽車及工業應用的650-V 及600-V 氮化鎵場效電晶體（GaN FET），整合快速開關的2.2-MHz閘極驅動器，能協助工程師實現電源密度加倍、效率高達99%，且電磁尺寸縮小59%。
德州儀器高壓電源事業部GaN 產品線經理 Steve Tom表示，TI 運用特殊氮化鎵及矽基氮化鎵(GaN-on-Si)基板技術，研發最新場效應電晶體(FET)，在成本與供應鏈方面均優於碳化矽等其他基板材質。有了TI 最新的車用GaN FET，相較於矽或碳化矽解決方案，電動車車載充電器和DC/DC轉換器尺寸可減半，進而延長電池續航力、提升系統可靠度、降低設計成本。
TI表示，氮化鎵等寬能隙半導體(wide-bandgap semiconductor)技術將種種實際技術帶入電力電子領域，但目前在xEV市場的普及率仍有限，尤其是高電壓系統。TI在電源管理市場投資研發逾十年，塑造出獨特的全方位策略，以獨有的矽基氮化鎵裝置，結合最佳化的矽驅動器技術，成功將氮化鎵導入新應用。此外，工業和汽車應用愈來愈需要在更小的空間內提供更大的電源，設計人員推出的電源管理系統必須具備實證，以便在終端設備內長期穩定運作，TI 研發氮化鎵技術，完成超過4000萬小時可靠性測試，以及超過5 GWh的電源轉換應用測試，協助工程師在各市場滿足終生可靠的要求。
裝置減少、電源密度加倍在高電壓、高密度應用中，縮小電路板面積為重要設計考量。當電子系統尺寸縮小後，其中元件也須隨之縮小，並縮短元件彼此間的距離。半導體行銷與應用資深應用工程師顏智鴻解釋，TI 最新GaN FET整合快速開關驅動器、內部保護及溫度感測，協助工程師達到高性能，同時縮小電源管理設計的電路板空間。這項整合搭配TI 氮化鎵技術的高電源密度，讓工程師設計分離式解決方案時，不需使用十多項元件
提升散熱性能TI GaN FET封裝熱阻抗比競品低23%，因此工程師可選用較小的散熱片，並簡化熱能設計，新裝置提供最大熱能設計彈性，不論是何種應用，均可選擇上側或下側冷卻封裝，且FET內建數位溫度通報功能，可達到主動式電源管理，有助於工程師在各種負載及運作條件下，最佳化系統散熱性能。
