2012年2月13日--隨摩爾定律的腳步，半導體市場在2012年將會正式跨入28奈米製程世代。走在市場前端的宜特今宣佈，宜特至2010年已開始佈局，2011年與知名IC設計大廠合作，歷經研究測試，2012年正式突破技術門檻，不僅替客戶完成難度極高的28奈米最小線寬修改，且電路除錯能力更深入至IC最底層(Metal 1)。
宜特觀察發現，28奈米是現今市場上各大廠欲跨入的製程，此製程可為IC產品帶來更高的效能，更低的能耗，與更輕薄短小的尺寸，相當符合現今行動裝置的需求，因此許多大廠紛紛導入。
晶圓代工龍頭台積電在2011底率先量產28奈米製程產品，並預估今年28奈米製程產品將達到整體營收的10%。市佔率居次的聯電近期也傳出接獲數間大廠的28奈米訂單，進入試產階段。緊追在後的三星電子及格羅方德(Global foundries)，也各自有其在先進製程上的佈局。
不過，28奈米製程亦有技術上的挑戰。宜特科技可靠度與FIB工程處副總經理 崔革文表示，28奈米在設計與佈局上的複雜度大幅升高，並且很難有一套通用的可製造性設計(Design for manufacture，DFM)模型來確保設計與佈局的正確性，將導致IC設計業者須進行更為頻繁的光罩改版，增加時間成本與金錢成本的負擔，一套28奈米光罩要價近2億台幣，是40奈米的好幾倍，往來重新下光罩亦需一個多月。
因此，許多業者採FIB(Focused ion beam，聚焦離子束)線路修改技術，藉此省去光罩改版的時間與金錢成本。崔革文說：「FIB在28奈米產品的除錯與驗證上勢必將扮演更為重要的角色。」
FIB工程處經理 許如宏表示，早在2010年，宜特即展開28奈米IC線路修改的研究與佈局，針對最底層(Metal 1)的極小線路作修改測試，並從極小間距中，研究如何設定正確參數將訊號引出，還可利用獨有的低阻值連線技術(宜特已有中華民國專利)，克服過大阻值易造成高頻訊號的延遲與失真，目前在各個環節上均已完成驗證，技術能量已可滿足現今所有先進製程產品的除錯與驗證需求。
許如宏進一步指出，工欲善其事，必先利其器，宜特除了擁有技術外，亦在這兩年，建造完成國內唯一同時擁有可勝任40奈米與28奈米線路修改的實驗室，除了一般的Front-side FIB技術外，亦可支援Back-side FIB線路修改技術。
Back-side FIB其原理是從IC晶片的背面(即矽基材端)來進行線路修改，該相關技術近年來受到高度矚目，其需求亦日益趨多。特別在連線密度與I/O數都特別高的28奈米製程上，由於需要更多層的金屬連線與更高比例的覆晶封裝(Flip Chip)形式，也因此，使用Back-side FIB線路修改將成為未來主流。
關於宜特科技
始創於1994年，宜特科技從 IC 線路除錯及修改起步，逐年拓展新服務，包括故障分析、可靠度驗證、材料分析與品質保證等，建構完整驗證與分析工程平台與全方位服務。客戶範圍囊括了電子產業上游 IC 設計至中下游成品端。隨著綠色環保意識抬頭，宜特不僅專注核心服務，並關注國際趨勢拓展多元性服務，建置無鉛與無鹵可靠度驗證、化學定量分析與碳足跡溫室氣體盤查服務，順利取得多項國際知名且具公信力的機構 ─ 德國 TUV NORD 與英國 BSI 認證。同時在國際大廠的外包趨勢下，宜特科技也扮演品牌公司委外製造產品的獨立品質驗證第三公證實驗室，取得 Motorola、Dell、Cisco與Delphi的可靠度驗證資格。進一步資訊請至公司網站http://www.istgroup.com 查詢。
