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瑞薩電子發表低損耗P-Channel MOSFET

本文作者:瑞薩電子       點擊: 2012-02-20 16:53
前言:
損耗量約為瑞薩先前產品的二分之一、3.3 mm方形封裝、具備領先業界的4.2 mΩ低導通電阻

      2012年2月17日先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子宣佈推出五款低損耗P-Channel金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列產品,包括針對筆記型電腦鋰離子二次電池之充電控制開關,以及AC變壓器電源供應開關之電源管理開關等用途進行最佳化的μPA2812T1L。


     

      近年來,市場對於外型較輕巧、整體系統低電耗,以及藉由電池電力即可使用較長時間之筆記型電腦,需求日漸升高。功率MOSFET用於鋰離子二次電池的充電控制開關以及AC變壓器電源供應開關的電源管理開關,必須處理整體系統運作所需要的大電流,因此需要降低運作電阻(導通電阻),以降低系統的耗電量。同時,筆記型電腦的機身越來越小巧,因而市場對於尺寸輕巧的鋰離子電池需求極為強烈,也需要比傳統SOP-8封裝更小的功率MOSFET產品。

為因應上述需求瑞薩已開發新的製程採用超精細加工技術及其他創新技術相較於先前用以製造類似用途MOSFET的製程可使導通電阻降低二分之一並提供相同的有效區域。此次包括μPA2812T1L的五款新產品,皆以非常小的封裝尺寸提供低導通電阻。

 

新款P-channel功率MOSFET的主要特色

(1)業界最低的導通電阻可提供更優異的系統電源效率延長電池的使用時間

新款MOSFET可達到瑞薩先前產品大約二分之一的導通電阻。μPA2812T1L採用小型3.3 mm方形封裝,可達到業界最低的4.2 mΩ(典型)導通電阻,並可保持低電耗,提升系統整體的電源效率,使用鋰離子二次電池時可延長使用時間。

較低的導通電阻還包括其他優點例如以採用新款μPA2812T1L的電路取代採用瑞薩先前μPA2810T1L平行連接的電路,可減少系統的安裝面積。

 

(2)安裝面積約為具同等效能之先前產品的三分之一可提供尺寸更小的系統

較早的瑞薩產品以SOP-8封裝提供與新款μPA2812T1L相當的導通電阻面積約為三倍大。採用μPA2812T1L將可縮減安裝面積約三分之二,為筆記型電腦提供尺寸更小的電源供應系統。

 

(3)涵蓋大範圍運作電流等級的完整系列產品

在五款新產品中μPA2812T1L的導通電阻額定範圍從4.2 mΩ到12 mΩ(典型)客戶可選擇最符合其運作電流、環境條件等需求的產品版本。

小尺寸3.3 mm方形封裝(HVSON(3333))可提供優異的散熱效果,其設計可讓封裝內部的熱量透過外露的導線架散發至所安裝的電路板。由於元件周圍的熱量少於散熱效率較低的SOP-8封裝的熱量,因此可以設計尺寸較輕巧的鋰離子電池等。

瑞薩未來計畫擴大功率MOSFET元件的產品系列提供更強大的功能及尺寸更小的封裝。結合功率MOSFET元件與鋰離子電池充電控制IC等套件,將提供系統設計師更多具彈性的系統解決方案。

 

價格與供貨

瑞薩電子新款MOSFET已開始供應樣品,計畫自20124月起開始量產,並預估20134月達到每月5百萬顆之合併產能。

 

關於瑞薩電子

 

瑞薩電子株式會社為全球第一的微控制器供應商,同時也是SoC系統晶片與各式類比及電源裝置等先進半導體解決方案的領導品牌之一。經由NEC電子(TSE:6723)與瑞薩科技的業務整合,瑞薩電子自201041日起正式營運,業務範圍則涵蓋了各種應用裝置的研發、設計與生產。總部位於日本的瑞薩電子,子公司遍及全球20個國家,如欲了解更多資訊,請造訪www.tw.renesas.com

 

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