2012年2月27日－全球先進無線技術、產品及服務創始者暨領導廠商高通 (Qualcomm，Nasdaq: QCOM)今 (27) 日宣布，其新一代Gobi™數據機晶片組MDM8225™、MDM9225™、與MDM9625™將於2012年第四季開始送樣。此三款晶片組將是首批可同時支援HSPA+ Release 10標準及新一代LTE Advanced行動寬頻標準。MDM9225與MDM9625同時也是首批可支援LTE載波聚合技術 (LTE carrier aggregation) 與真正的LTE Category 4標準的晶片組，資料傳輸率可達150Mbps，使電信營運商在其LTE服務區域內可提供更高的寬頻速度。該批晶片組採用28奈米製程技術，其效能與耗電量與前幾代晶片組相較，改善幅度更大，其可支援多種行動寬頻技術，為智慧型手機、平板電腦、超輕薄筆電、行動熱點、行動數據機與用戶端設備提供業界最佳的行動寬頻體驗。
LTE載波聚合技術可在不同頻段中結合多重無線電頻道，是提升使用者資料傳輸率的重要技術，不僅可減少延遲，亦可在不需使用連續20 MHz頻譜狀況下，為電信營營運商提供LTE Category 4標準的特色。MDM9225與MDM9625晶片組是目前唯一可支援載波聚合技術的行動寬頻晶片組，能讓OEM廠商開發可完全支援LTE Advanced網路的行動裝置。
MDM9225與MDM9625晶片組是高通第三代LTE數據機晶片組，除了可支援LTE Advanced與HSPA+ Release 10標準外 (包括傳輸速率84 Mbps的雙載波HSDPA)，亦可向下相容於其他技術標準，如EV-DO Advanced、TD-SCDMA與GSM等。此兩款晶片組亦包含業界唯一整合CDMA2000 (1X與DO)、GSM/EDGE、UMTS (WCDMA與TD-SCDMA)、與LTE (LTE-FDD與LTE-TDD) 等七種不同無線電存取模式的單一基頻數據機晶片，協助OEM廠商設計出可適用於全球不同無線網路型態的行動裝置。
高通產品管理資深副總裁Cristiano Amon表示：「高通最新一代的Gobi數據機晶片組將可讓OEM行動裝置製造商設計出幾乎可適用於全球各種行動寬頻網路的產品，除了可支援最新的行動寬頻技術外，這些晶片組也較高通以往7-mode 28奈米LTE晶片組 (MDM9x15系列) ，提供更低的耗電量與完整的連線覆蓋區域，可讓OEM廠商設計出更小、更炫以及電池效力更長的裝置。」
第三代Gobi數據機晶片組也整合了應用處理器與硬體加速器，具備以Linux為基礎的豐富應用開發環境與可供選擇的軟體堆疊行動存取點。客戶可透過應用開發環境創造具附加價值的應用程式，將採用MDM8225/9x25晶片組的裝置進行差異化。軟體堆疊行動存取點可讓客戶設計出高效能、低耗電的行動式與固定式802.11n無線路由器，使具備Wi-Fi連線功能的裝置傳輸速率可高達150 Mbps。
MDM8225晶片組可支援僅具備UMTS標準的行動裝置、MDM9225晶片組可支援具備LTE與UMTS標準的行動裝置，而MDM9625晶片組則可支援具備LTE、UMTS與CDMA2000標準的行動裝置。此三款晶片組預計將於2012年第四季開始送樣。
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