2012年4月3日--MOSAID Technologies公司今天宣佈，公司即將推出業界首個由16片NAND晶片堆疊組成一個高性能單通道的NAND快閃記憶體多晶片封裝（MCP）樣品。
MOSAID的512Gb HLNAND（TM）（HyperLink NAND）多晶片封裝將16片行業標準32Gb NAND快閃記憶體晶片和2片HLNAND介面器件組合在一起，在一個單字節寬HLNAND介面通道上實現了333MB/秒的輸出。普通NAND快閃記憶體多晶片封裝設計不能堆疊超過4片NAND晶片，否則性能便會降低，並且需要用兩個甚至多個通道來實現類似的吞吐率。
MOSAID首席技術官Jin-Ki Kim表示："與行業標準NAND快閃記憶體產品所使用的平行匯流排結構相比，由16片晶片堆疊組成的512Gb HLNAND多晶片封裝顯示出HLNAND環形匯流排結構出色的可擴展性。HLNAND的環結構允許在一個單通道上連接幾乎不限數量的NAND晶片，且確保性能不會降低。"
MOSAID副總裁兼首席技術官Peter Gillingham表示："HLNAND具有卓越的性能和尺寸優勢。系統工程師可以採用HLNAND技術，設計每秒千百萬位元組帶寬和兆百萬位元組容量的單控制晶片固態硬碟（SSD）。採用行業標準NAND多晶片封裝的競爭性設計則需要使用多個控制晶片。"
由16片晶片堆疊組成的512Gb HLNAND多晶片封裝的主要特色：
l 2片HLNAND介面晶片和16片32Gb NAND晶片
l 輸入/輸出資料傳輸率：333MB/秒（DDR333），1.8V
l 低功耗操作----無需終端電阻
l 以全資料傳輸率同步讀寫資料處理，總數據吞吐率達667MB/秒
l 全獨立邏輯單元號（LUN）操作
l 封裝：100球BGA（球柵陣列），尺寸為18毫米 x 14毫米
關於HyperLink（HL）NAND快閃記憶體
HLNAND快閃記憶體是一種高性能解決方案，結合了MOSAID自己的HyperLink記憶體技術與行業標準的NAND快閃記憶體單元技術，提供了業內最先進的功能集，達到超過傳統快閃記憶體10倍的持續I/O輸入輸出帶寬。欲瞭解更多資訊，請訪問 www.hlnand.com/ 。
關於MOSAID
MOSAID Technologies公司是全球領先的知識產權管理公司之一。MOSAID專業從事半導體和通信領域專利知識產權的貨幣化以及半導體存儲技術的開發。MOSAID的被許可方中有很多為全球最大的科技公司。MOSAID成立於1975年，在安大略省渥太華、德州普拉諾和盧森堡設有機構。2011年12月，通過Sterling Partners主導的一項交易，MOSAID被私有化。詳情請詢：www.mosaid.com/ 和 http://InvestorChannel.mosaid.com/ 。
關於Sterling Partners
Sterling Partners是全球領先的私募股權投資公司，在和企業家合作開創市場領先業務方面有超過25年的從業經驗。Sterling Partners目前管理著大約50億美元的資產，公司將不斷增值的資本投入具有長期正回報趨勢的行業，並通過由行業資深人士、經營者、戰略專家、人力資本專家組成的專業團隊提供持續的管理支援。Sterling Partners是教育、醫療衛生和企業服務領域的領先企業，公司在芝加哥、巴爾的摩和邁阿密設有辦事處。欲瞭解更多資訊，請訪問：www.sterlingpartners.com/。
