2012 年 5 月 9 日--英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 今日於 PCIM Europe 2012 展覽中宣佈推出最新 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，進一步強化英飛凌在 SiC（碳化矽）市場的領先地位。此一革命性的全新產品系列展現英飛凌在 SiC 技術研發領域超過十年的經驗，同時擁有高品質、可大量生產的特點。
英飛凌高壓功率轉換產品部門主管 Jan-Willem Reynaerts 表示：「英飛凌一直以來持續針對需要高效率功率管理的市場推出革命性技術。此次推出的 CoolSiCTM 同樣也是具革命性、高度創新的技術，尤其能讓太陽能逆變器的效能達到新的水準。 運用英飛凌最新的 SiC JFET 技術，客戶便能進一步打造未來拯救氣候的解決方案。」
相較於 IGBT，全新的 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 大幅降低切換耗損，可應用更高的切換頻率，不需犧牲系統整體的效率。因此能夠使用體積更小的被動元件，進一步縮小整體解決方案的體積與重量，並降低系統成本。換句話說，該解決方案能夠讓相同體積的逆變器達到更高的輸出功率。
為確保恆開的 JFET 技術的安全性及使用方便性，英飛凌開發了一項名為直驅技術 (Direct Drive Technology) 的概念。JFET 應用的這個概念結合了外部的低電壓 MOSFET 及專用的驅動 IC，確保系統能安全開啟，而且能在安全且受控制的情況下切換。
CoolSiCTM JFET 採用單片整合二極體，切換效能與外接式的 SiC Schottky 二極體不相上下，此一搭配組合能讓效率、可靠性、安全性及使用方便性達到顛峰。
上市時間與定價
CoolSiCTM JFET 產品及驅動 IC 將從 2012 年第二季開始提供樣品。第一批 OEM 量產預計於 2013 年上半年開始。IJW120R100T1 (100mOhm) 單價為 24.90 美元（18.44 歐元）（以一千單位為批量）。
更多有關英飛凌新型 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列的詳細資訊，請瀏覽 www.infineon.com/coolsic
英飛凌將在德國紐倫堡舉行的 PCIM Europe 2012 展覽中（2012 年 5 月 8 至 10 日），展出新型的 CoolSiCTM 1200V SiC JFET 產品（12 號大廳，404 號攤位）。
關於英飛凌
英飛凌 (Infineon Technologies AG)總部位於德國紐必堡(Neubiberg)，提供各式半導體和系統方案，以因應現今社會的三大挑戰，包括能源效率 (energy efficiency)、移動性 (mobility)與安全性(security)。2011計年度(截至9月底)營收為40億歐元，全球員工約為26,000名。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所上市(交易代碼：IFX)，並於美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier 掛牌(交易代碼：IFNNY)。
