2012年5月17日--功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,那斯達克代號:MSCC) 推出新一代1200V非貫穿型(non-punch through,NPT) IGBT系列中的第一款產品。新的IGBT系列採用美高森美頂尖的Power MOS 8™技術,與競爭解決方案相比,整體開關和導通損耗顯著降低20%或以。這些IGBT元件主要針對焊接機、太陽能逆變器和不斷電與開關電源等應用。
美高森美新的離散元件產品包括APT40GR120B、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。這些元件可以獨立形式提供,或者與任何一款美高森美的FRED或碳化矽蕭特基(Schottky) 二極體組合封裝提供,以便簡化產品開發和製造。其它特性包括:
APT40GR120B電晶體採用TO-247封裝,APT40GR120S採用表面安裝D3 PAK封裝,APT40GR120B2D30則是T-MAX® 封裝元件,包含了一個採用美高森美的專有「DQ」系列低開關損耗、額定雪崩能量二極體技術製造的30A反向平行、超快速恢復二極體。
關於美高森美公司
美商美高森美股份有限公司(Microsemi Corporation, Nasdaq:MSCC)針對航太、國防與安全;企業與商業;以及工業與另類能源市場,提供半導體解決方案最全面的產品組合。產品包括高性能,高可靠度的類比和RF元件,混合訊號與RF積體電路,可客製化SoC,FPGA,和完整的子系統。Microsemi總部位於美國加州Aliso Viejo,全球擁有約3000位員工。要了解詳情,請造訪其網站http://www.microsemi.com。
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