宜普電源轉換公司宣佈推出EPC9102演示板,這是一個全功能的八分之一磚轉換器演示板。這塊電路板就是一個36V-60V輸入、12V輸出、375kHz相移全橋(PSFB)式八分之一磚轉換器,最大輸出電流為17A。該演示板內含100V EPC2001 eGaN FET及德州儀器專為驅動eGaN FET而設的半橋柵極驅動器(LM5113)。
LM5113是業界首款能夠最佳驅動增強型氮化鎵FET、並且能夠充分發揮這種FET優勢的驅動器。EPC9102演示板展示了當eGaN FET配合德州儀器LM5113 eGaN FET驅動器,可以實現eGaN FET的高開關頻率性能。
這種轉換器的結構符合標準八分之一磚的外形尺寸和高度 (2.300" x 0.900" x 0.400")要求。儘管這個尺寸比較小,但整個電路板在36V輸入電壓、10A輸出電流條件下,可以達到94.8%的峰值功效。
EPC9102演示電路的設計用於展示使用eGaN FET在375kHz工作時、 能夠實現得到的尺寸和性能、而設計本身並沒有針對最大輸出功率進行優化。其工作頻率大約比同類商用的八分之一磚直流-直流電源轉換器高出50%至100%。
EPC9102演示板的尺寸特別是過大的尺寸,這是方便電源系統設計工程師連接相關的評估平臺。演示板上有許多探測點,便於測量簡單波形和計算效率。EPC9102演示板可用在低環境溫度和強制空冷條件下的基準評估。
EPC eGaN FET 及德州儀器的LM5113 設計工具指南
eGaN FET 設計資訊及支援
· 演示板及其他設計支援:
· 下載EPC2001及所有宜普eGaN FET 數據表：
· 下載LM5113資料表及LM5113LLPEVB評估板的應用手冊:
宜普公司簡介
宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰跟蹤、乙太網供電、太陽能微型逆變器、能效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽網站www.epc-co.com.tw 。
