此產品的順向電壓較傳統產品降低了10%,因此能大幅降低各種裝置的耗電量。製造據點為ROHM Apollo Co., Ltd.(位於日本福岡縣),預定自6月起開始樣品出貨(樣品售價:500日圓/個),隨即正式展開量產。
※根據ROHM於6月●日之調查結果
背景
近年來,在工業裝置、太陽能電池、電動車、鐵路等功率電子(Power electronics)的領域上,人們對於功率轉換損耗低於矽質元件,且材料物性絕佳的碳化矽SiC元件/模組的實用化莫不引領期盼。ROHM領先業界,於2010年成功量產出碳化矽SiC-SBD及碳化矽SiC-MOSFET等碳化矽SiC元件,2012年3月更首創世界先例,成功量產出碳化矽SiC功率模組。
目前,SiC-SBD雖已在全世界廣泛量產,但其順向電壓等穩定性損耗為1.5V且需採用並聯連接,因此市場上對於降低順向電壓以減少損耗的需求亦日益強烈。
新產品說明
新產品系列中,首先展開量產的是600V-10A型,接下來本公司將陸續擴充其他產品系列,預定未來幾個月也將開始進行1200V型的量產。
另外,ROHM將於7月11日(三) ~ 13日(五)於東京國際展示中心(Tokyo Big Sight)所舉辦的「TECHNO- FRONTIER 2012」展示本產品,歡迎蒞臨ROHM展場批評指教。
藉由高速切換效率與低VF等特性,與傳統的Si產品相較下,可大幅降低損耗
除了達成碳化矽SiC所特有的高速切換效率外,同時還能進一步降低順向電壓。相較於傳統的矽質快速回復二極體,更能大幅降低損耗。
Copyright © 2002-2023 COMPOTECH ASIA. 陸克文化 版權所有
聯繫電話:886-2-27201789 分機請撥:11