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瑞薩電子發表第7代650V及1250V IGBT系列產品

本文作者:瑞薩電子       點擊: 2012-07-30 14:27
前言:
適用於例如太陽能發電機與工業馬達的功率調節器(功率轉換器)等處理高電壓及大電流之設備

2012年7月30日—先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE6723)發表13款具備領先業界高效能之第7絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列新。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統中的直流電轉換為交流電的功率半導體裝置,適用於例如太陽能發電機與工業馬達的功率調節器(功率轉換器) 等處理高電壓及大電流之設備。第7代技術以強化薄型晶圓製程為基礎,權衡了傳導、切換損耗及穩定效能而達到低損耗,且提高短路耐受能力。

 


 

相較於第6代技術的600V與1200V系列品,第7代品系列具有較高的額定電壓650V與1250V以因應低操作及過電壓耐受能力之需求。

 

瑞薩IGBT適用於馬達控制應用。在這些情況中,裝置之短路耐受能力是設計上的關鍵參數。第7代IGBT系列具備10µs額定短路耐受能力,因此可廣泛應用於馬達控制。

 

近年來,於環保與其他因素之考量下,促使高能源效率之電子設備需求增加並持續推動太陽能與風力發電等潔淨能源,針對高電壓及大電流之設備也持續努力提升其能源效率,例如太陽能逆變器、噴水幫浦及大電流變頻器控制馬達。為了大幅降低上述設備之直、交流轉換損耗,高效能的IGBT品需求於是增加。但是,這必須權衡其飽和電壓(附註1),這個參數是在大電流操作下達成低損耗以及高短路電流耐受能力的關鍵。以往並無法兼得低損耗與高達約10微秒的短路耐受能力(附註2),一般認為這對於馬達驅動器等應用都是不可或缺的,為因應此需求,瑞薩開發出上述高效能IGBT。

 

新款IGBT的主要功能

 

(1)降低飽和電壓650 V版本為1.6 V1250 V版本為1.8 V以提供更優異的電源效率

        獨家超薄晶圓技術可將650 V版本品的飽和電壓從早期瑞薩同等品的1.8 V(典型)降低至1.6 V(典型)並可將1250 V版本2.1 V降低至1.8 V分別降低12%15%。如此可降低功率損耗並有助於提升效率。

 

(2)10微秒高短路耐受能力可提供更高水準的可靠性

        高短路耐受能力對於大電流應用而言是非常重要的藉由優化晶片架構的技術瑞薩從早期同等品的8微秒(μs)左右提升至10 μs以上。如此可確保在例如太陽能逆變器之功率調節系統中達到優異可靠度與穩定效能。

 

(3)更快速的切換

        藉由優化裝置的表面架構相較於瑞薩早期反向傳輸電容(Cres)(附註3)已降低約10%。這有助於更快速的切換並能更具效率的電源轉換器電路。

 

上述效能之提升有助於降低各種應用的功率損耗及提高運作的穩定度例如三相逆變器電路,其廣泛用於大電流應用領域下之太陽能逆變器或工業用變頻器控制馬達。

 

瑞薩提供微控制器(MCU)結合類比與功率裝置的整體解決方案支援客,其新款高效能第7代IGBT品在全球同類型頂尖中佔有一席之地,這些成為瑞薩功率裝置系列品的核心,瑞薩計劃繼續推出此系列的新品。

 

瑞薩亦計劃推出一系列套件解決方案其中包含新款IGBT、用於馬達與逆變器控制的瑞薩RL78RX系列MCU及用於功率裝置驅動的光耦合器伴隨著其他。瑞薩準備推出配備新款IGBT品的開發板,以支援客整體評估與系統設計。

 

新款IGBT品的出貨形式為晶圓/晶片,RJH65S系列則提供TO-247A封裝。

 

 價格與供貨

 

瑞薩13款新IGBT (包含650VRJH/RJP65S系列與1250VRJP1CS系列)2012年七月開始供應樣品,預定20129月開始量,並預估至20134月達到50萬顆的能。(價格與供貨如有變更,恕不另行通知。)

 

(附註1)飽和電壓(VCE(sat)):

關於瑞薩電子

 

瑞薩電子株式會社(TSE:6723)為全球第一的微控制器供應商,同時也是SoC系統晶片與各式類比及電源裝置等先進半導體解決方案的領導品牌之一。經由NEC電子(TSE:6723)與瑞薩科技的業務整合,瑞薩電子自201041日起正式營運,業務範圍則涵蓋了各種應用裝置的研發、設計與生。總部位於日本的瑞薩電子,子公司遍及全球20個國家,如欲了解更多資訊,請造訪www.tw.renesas.com

 

IGBT效能最重要的指數。表示裝置傳導電流時,集極-射極間形成壓降之程度。數越低,傳導損耗也就越低。

        (附註2)負載短路耐受能力 (tsc):

IGBT承受破壞的能力指數。表示發生短路而有無限電流流入時,IGBT在損毀前可承受的時間。一般而言,對於馬達驅動器等需要處理大電流及高可靠性的應用而言,數越高越好。

        (附註3)反向傳輸電容(Cres)

此參數表示IGBT的閘極與集極間的固有電容。一般而言,數越小表示裝置能以更快的速度切換,以減少切換損耗。

 

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