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富士通半導體推出9 KB FRAM新型高頻RFID標籤晶片

本文作者:富士通半導體       點擊: 2012-07-31 15:31
前言:

2012731香港商富士通半導體有限公司台灣分公司今日宣佈推出新款FerVID 系列RFID標籤晶片MB89R112。新款高頻RFID標籤晶片,配備9 KBFRAM記憶體。FerVID系列產品採用FRAM,寫入速度快,具備高頻可覆寫功能、耐輻射和低功耗等特色。富士通將於20128月開始提供樣品。

 


 

MB89R112在高頻RFID標籤領域擁有領先業界的記憶體容量,以及串列介面SPI,為RFID在嵌入式與工業領域的應用開闢了全新的可能性。

 

2004年以來,富士通半導體針對高性能RFID標籤,開發出可支援兩個頻段的FerVID系列FRAM產品,可在高頻段(13.56 MHz)和超高頻段(860 ~ 960 MHz)運作。至今,這項產品的應用層面愈趨廣泛,其中FRAM的快速寫入速度和大容量記憶體空間特色,適用於工廠自動化和維護資料的資料媒介晶片;用於醫療和製藥領域的晶片則可承受伽瑪輻射和電子束;而配備串列介面的晶片在嵌入式應用領域也獲得廣泛的關注。

 

除了這些用途外,市場上也衍生許多全新需求,例如:產品需備有大容量記憶體,並能將RFID連接至感測器及微控制器,進而用無線傳輸方式改變產品的運作參數,或者在市場流通時透過無線方式獲取環境相關的記錄資訊。這些功能將有利於汽車和電子製造業的生產控制,以及飛機、道路、建築和公共工程的維護應用。

 

富士通半導體針對此一需求開了RFID標籤晶片-MB89R112,其中包含一個SPI9 KB容量的儲存空間,成為高頻段大容量RFID標籤晶片的代表性產品,其他廠商在高頻段應用的大容量產品無法比擬。MB89R112是針對近場被動RFID設計,符合業界標準ISO/IEC 15693

 


 

MB89R112 加入FerVID系列意味著該產品線將涵蓋容量為256 B ~9 KB的高頻頻段晶片和容量為4 KB ~ 64 KB的超高頻頻段晶片。此外,針對嵌入式應用開發並搭載串列介面的晶片,其產品線也將擴充至4 KB超高頻頻段晶片和9 KB高頻段晶片。連同其他微控制器的產品線,富士通半導體將能滿足客戶的各種需求。

 

MB39C326產品特色:

 

領先業界的高頻RFID記憶體容量

這款產品包括9 KBFRAM,這是ISO/IEC15693定義的在高頻段運作RFID晶片中可支援最大容量的產品。9 KB中的8 KB可用於使用者記憶體,配置為256塊,每塊32B,這可對ISO/IEC 15693定義的整個8 KB區域進行讀寫。寫入8 KB資料的時間大約4秒,這比使用E2PROM的產品快六倍。RFID標籤上提供更多的資料,使用者可以從製造、物流到使用與棄置等產品生命週期中進行有效的追蹤管理;現場的資料記錄儀,也可用於記錄設備維護。

 

適合嵌入式應用的SPI

這款產品包括一個連接到微控制器的SPI。微控制器可以透過SPI介面讀取FRAM8 KB的使用者資料,而共用的記憶體區域可用作資料記錄器,也可用作改變微控制器運作參數的參數區域。例如,該產品可用來記錄物流的環境讀數,檢測設備錯誤,改變電子顯示、感測器閾值與韌體設定,並達到許多過去無法觸及的新穎和創新的用途。

 

關於香港商富士通半導體有限公司台灣分公司(Fujitsu Semiconductor Pacific Asia Ltd., Taiwan Branch)

 

香港商富士通半導體有限公司台灣分公司為富士通半導體事業體系之一員,主要負責富士通半導體在台灣市場半導體的銷售業務,提供廣泛且多元化的產品系列與配套解決方案。

 

香港商富士通半導體有限公司台灣分公司的產品包括:專用積體電路(ASIC)、微控制器(MCU)、特定應用標準產品(ASSP)/系統單晶片(SoC)和系統儲存晶片。該公司的前身為19961029日成立的新加坡商富士通亞太微電子股份有限公司台灣分公司,並於2010722日正式更名。富士通半導體亞太有限公司與富士通半導體(上海)有限公司、新加坡的富士通半導體亞洲私人有限公司共同組成亞太地區的設計、開發及技術支援網路。有關詳細公司資訊,請瀏覽http://cn.fujitsu.com/fsp/tw網站。

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