快捷半導體擴大其P通道 PowerTrench® MOSFET 產品線 20V 單一 P 通道 PowerTrench®
為了幫助手機及其他可攜式應用設計人員改善電池充電和負載開關， 快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)擴大其 P 通道 PowerTrench® MOSFET 產品線。
FDMA910PZ 和 FDME910PZT 具備 MicroFET™ MOSFET 封裝，並提供以他們的尺寸大小（2 X 2 mm 和 1.6 X 1.6 mm）而言，卓越的散熱性能，令他們完全匹配開關和線性模式應用。 在 20V 額定電壓下，這些元件提供低導通阻抗。 為預防靜電放電 (ESD) 失敗，FDMA910PZ 和 FDME910PZT 裝有優化穩壓二極體保護裝置，這亦令最大額定 IGSS 洩漏電流從 10μA 降至 1μA。
l 最大 RDS（ON） = 20 mΩ，需 VGS = -4.5V，ID = -9.4 A
l 最大 RDS（ON） = 24 mΩ，需 VGS = -2.5V，ID = -8.6 A
l 最大 RDS（ON） = 34 mΩ，需 VGS = -1.8V，ID = -7.2 A
l 低側高－在 HBM ESD 保護級別 > 2.8kV typical的標準下，MicroFET 2 X 2 mm 封裝最大側高為 0.8 mm
PDME910PZT
l 最大 RDS（ON）= 24mΩ，需 VGS = -4.5 V，ID = -8A
l 最大 RDS（ON）= 31mΩ，需 VGS = -2.5 V，ID = -7A
l 最大 RDS（ON）= 45mΩ，需 VGS = -1.8 V，ID = -6A
l 低側高： 在HBM ESD 保護級別 > 2kV Typical的標準下， MicroFET 1.6 X 1.6 mm 薄封裝最大側高為 0.55 mm
FDMA910PZ 和 FDME910PZT均不含鹵化物和氧化銻，並為 RoHS 相容。 兩種裝置均提供低電壓安全運作，並適用於手機和可攜式裝置。
快捷半導體是是可攜式技術的領先廠商，提供豐富的客製化類比和電源IP產品系列，以滿足特定的設計需求。利用將先進的電路技術整合在微型封裝中，快捷半導體為可攜式產品用戶提供了重要的優勢，同時能夠減小設計的尺寸、成本和功耗。 快捷半導體的可攜式 IP 已獲現今大部分手機採用。
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快捷半導體公司簡介
美國快捷半導體公司 (Fairchild Semiconductor；紐約證券交易所代號：FCS) － 全球營運、本地支援、創新觀念。快捷半導體為電源和可攜式設計提供高效率、易於應用及高附加價值的半導體解決方案。我們協助客戶開發差異化的產品，並以我們在功率和訊號路徑產品上的專業知識解決其遇到的困難技術挑戰。要瞭解更多資訊，請瀏覽網站：www.fairchildsemi.com。
