英飛凌發表新一代薄晶圓技術系列產品

2012 年 11 月 15 日--英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)發表新一代薄晶圓技術 IGBT TRENCHSTOP™ 5 系列產品，其導通損失和切換損失均遠低於目前的領導解決方案。透過這項突破性的產品，英飛凌為 IGBT 效能立下新標竿，繼續在效率需求不斷提升的市場中保持領先地位。

 

新技術的崩潰電壓提高至 650V，讓設計擁有更高的安全餘裕。目標拓樸為 PFC (AC/DC) 升壓級和高電壓 DC/DC 拓樸，常見於光伏逆變器、不斷電系統 (UPS) 和變頻焊接機具等應用。

TRENCHSTOP™ 5 擁有兩個系列產品，一為 HighSpeed 5 (H5)，這是一款使用方便的軟性 high speed IGBT，隨插即用可立即取代現有的 IGBT，大幅簡化設計時程。另一款為 HighSpeed 5 FAST (F5)，提供業界最佳的效率；舉例來說，在使用「H4 全橋」拓樸的光伏逆變器應用中，所測得的系統效率可達到 98% 以上。

英飛凌 IGBT 功率分離式元件行銷協理 Roland Stele 表示：「TRENCHSTOP™ 5 不僅讓 IGBT 的效能大幅躍進，同時更改善系統效率、提高崩潰電壓，並提升可靠性，進而降低整個平台的系統成本。對於客戶來說，希望擁有一個具備上述所有優點的解決方案，TRENCHSTOP™ 5 就是唯一的選擇。」

全新的 TRENCHSTOP™ 5 為各式目標應用提供了多項優勢。與目前業界最佳的英飛凌 HighSpeed (H3) 系列相較，TRENCHSTOP™ 5 導通損失減少 10% 以上，整體的切換損失也降低 60% 以上。效率大幅提升，可降低操作時的接面溫度，提升使用壽命可靠度或功率密度設計。如應用測試所顯示，TO-220 封裝的 TRENCHSTOP™ 5 的零件溫度比 TO-247 封裝的 H3 低了 15%。

其他優勢還包括：飽和電壓 (V_ce(sat)) 和關斷切換損失 (E_off) 的正溫度係數，確保效能不致在高溫操作下衰減，並能輕易並聯。閘極電荷 (Q_g) 比 H3 少了 2.5 倍，讓 IGBT的運作成本也更為降低。此外，TRENCHSTOP™ 5 具備快速回復特性的飛輪二極體，相對溫度穩定的順向壓降 (V_F)，且反向恢復時間 (T_rr) 少於 50 奈秒。低輸出電容（C_oss 和 E_oss），可提供優異的輕載效率，極適合最高額定值在 40% 以下運作為主的設計。

上市時程

H5 和 F5 衍生產品將從 11 月中旬開始提供樣品。詳細資訊請瀏覽：www.infineon.com/trenchstop5

關於英飛凌

英飛凌 (Infineon Technologies AG)總部位於德國紐必堡(Neubiberg)，提供各式半導體和系統方案，以因應現今社會的三大挑戰，包括能源效率 (energy efficiency)、移動性 (mobility)與安全性(security)。2011計年度(截至9月底)營收為40億歐元，全球員工約為26,000名。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所上市(交易代碼：IFX)，並於美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier 掛牌(交易代碼：IFNNY)。