2012年11月20日—香港商富士通半導體有限公司台灣分公司今日宣佈，公司成功透過矽基板氮化鎵(GaN)功率元件讓伺服器電源供應器達到2.5kW的高輸出功率，並擴大電源供應的增值應用，實現低碳能源社會。富士通半導體的GaN功率元件將於2013年下半年投入量產。
相較於傳統的矽功率元件，GaN功率元件擁有較低導通電阻的特性，可支援高頻率運作。這些特性有助於提高電源供應器的轉換效率，並可縮小體積。富士通半導體計畫將矽基板GaN功率元件商用化，藉由增加矽晶圓直徑達到低成本量產的目標。富士通半導體自2009年起已著手開發GaN功率元件之量產技術，並於2011年開始提供GaN功率元件樣品給特定的電源供應器合作夥伴。富士通半導體未來也將持續為應用於電源供應器中的GaN功率元件進行最佳化。
富士通半導體近期與富士通研究所(Fujitsu Laboratories Limited)進行多項共同技術開發計畫，包括開發製程技術來增加矽基板上的高品質GaN晶體數量、開發元件技術(如：電極最佳化設計)來控制開關切換時上升的導通電阻，以及設計可支援GaN元件高速開關的電源供應器電路配置。這些技術讓富士通半導體在GaN功率元件的功率因數校正(power factor correction)電路中，成功達到高於傳統矽元件效能的轉換效率。富士通半導體還設計了一種具有上述功率因數校正電路的伺服器電源供應器樣品，輸出功率可達2.5kW。
富士通半導體成功開發這項全新技術後，有助於擴大其GaN功率元件在高壓、大電流時的應用範疇。
富士通半導體近期在會津若松 (Aizu-Wakamatsu) 廠區建造了6吋晶圓的量產生產線，而GaN功率元件也將在2013年下半年進入量產階段。富士通今後將提供滿足客戶需求的功率元件、以及電路設計技術支援服務，藉以支援用途廣泛的低損耗、高整合度的電源供應器。富士通半導體預計該GaN功率元件可在2015會計年度達到100億日元的銷售目標。
富士通半導體將於2012年11月14-16日在太平洋橫濱會展中心(Pacifico Yokohama)舉行的2012嵌入式技術展(Embedded Technology 2012)中展示GaN功率元件。
圖1：富士通半導體的氮化鎵功率元件與傳統矽功率元件的效率比較。
圖2：採用富士通半導體氮化鎵功率元件的伺服器電源供應器的輸出功率。
關於香港商富士通半導體有限公司台灣分公司(Fujitsu Semiconductor Pacific Asia Ltd., Taiwan Branch)
香港商富士通半導體有限公司台灣分公司為富士通半導體事業體系之一員，主要負責富士通半導體在台灣市場半導體的銷售業務，提供廣泛且多元化的產品系列與配套解決方案。
香港商富士通半導體有限公司台灣分公司的產品包括：專用積體電路(ASIC)、微控制器(MCU)、特定應用標準產品(ASSP)/系統單晶片(SoC)和系統儲存晶片。該公司的前身為1996年10月29日成立的新加坡商富士通亞太微電子股份有限公司台灣分公司，並於2010年7月22日正式更名。富士通半導體亞太有限公司與富士通半導體(上海)有限公司、新加坡的富士通半導體亞洲私人有限公司共同組成亞太地區的設計、開發及技術支援網路。有關詳細公司資訊，請瀏覽http://cn.fujitsu.com/fsp/tw網站。
