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IR推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術平台

本文作者:IR       點擊: 2012-11-20 19:14
前言:
Gen8 1200V IGBT技術平台為工業應用提升基準效率及耐用性

20121120--全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平台利用IR新一代溝道閘極場截止技術,為工業及節能應用提供卓越的性能。


 

嶄新的Gen8設計讓頂尖的Vce(on) 能夠減少功耗,增加功率密度,以及提供超卓的耐用性。IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:「IR透過開發全新基準技術及頂尖的IGBT矽平台,彰顯出我們在數十年來致力提升功率電子技術的承諾。我們期望為所有電動馬達提供百分百變頻,藉以更有效使用電能,並且綠化環境。」

 

新技術針對馬達驅動應用提供更好的軟關斷功能,有助於把dv/dt減到最低,從而減少電磁干擾和過壓,以提升可靠性與耐用性。這個平台的參數分布較狹窄,在高電流功率模組內並聯起多個IGBT之時,可帶來出色的電流分配。薄晶圓技術則改善了熱阻和達到175°C的最高結溫。

 

潘氏稱:「IRGen8 IGBT平台旨在工業應用提供卓越的技術。該IGBT平台憑藉頂尖的Vce(on)、超卓的耐用性及一流的開關功能,把工業市場所面對的艱巨難題迎刃而解。」

 

產品規格

IR 元件編號

VCES

IC (NOM)

VCE(ON) (典型)

封裝

IRG8CH15K10F

1200V

10A

1.7

膜上晶片

IRG8CH20K10F

15A

IRG8CH29K10F

25A

IRG8CH38K10F

35A

IRG8CH42K10F

40A

IRG8CH50K10F

50A

IRG8CH76K10F

75A

IRG8CH97K10F

100A

IRG8CH137K10F

150A

IRG8CH182K10F

200A

 

產品供應

 

IRGen8 1200V IGBT平台的樣本現供應予各大原始設備製造商 (OEM) 及原始設計製造商 (ODM) 合作夥伴。

 

欲進一步瞭解更多資訊,敬請瀏覽IR網站 www.irf.com

 

關於美商國際整流器公司  (International RectifierIR)

國際整流器公司  (NYSEIRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的數位、類比和混合訊號IC及其他先進功率管理元件可用來驅動高效能運算,且為廣泛的商業和消費者應用節省能源。世界上有不少著名的電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航空和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步瞭解IR,敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com

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