在2.7 至2.9 GHz頻段上，2729GN-500電晶體具有無與倫比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%洩極效率性能，經由單一元件在這個頻段上提供最高功率，主要特性包括：
l 標準脈衝間歇格式： 100µs, 10 % DF
l 出色的輸出功率： 500W
l 高功率增益： >11.5 dB min
l 洩極偏壓−Vdd： +65V
l 低熱阻： 0.2℃/W
使用GaN on SiC高電子遷移率電晶體(HEMT)提供的系統優勢包括：
l 具有簡化阻抗匹配的單端設計，替代需要額外整合較低功率元件
l 最高峰值功率和功率增益，可減少系統功率級數與末級整合
l 單級對管提供具有餘裕的1.0 kW峰值輸出功率，經由四電路組合提供全系統2kW峰值輸出功率
l 65V的高運作電壓縮小電源尺寸和DC電流需求
l 極其穩健的性能提升了系統良率，而且
l 放大器尺寸比使用矽雙極性晶體管(Si BJT)或橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)元件的產品減小50%
封裝和供貨：
2729GN-500電晶體採用單端封裝供貨，在密封性焊料密封封裝中採用100%高溫金鍍金線材佈線，以達到長期軍用級可靠性。美高森美為符合資格的客戶提供示範單元租借服務，並在公司網站www.microsemi.com上提供技術資料表。要瞭解更多的資訊，請發送電郵至sales.support@microsemi.com。
關於美高森美公司
美商美高森美股份有限公司(Microsemi Corporation, Nasdaq:MSCC)針對通訊、國防與安全、航太，醫療與工業，以及新能源市場提供最全面的半導體與系統解決方案產品組合。產品包括混合訊號與RF積體電路、SoC與ASICS、可程式類比解決方案、電源管理產品、時脈與語音處理元件、射頻解決方案、離散元件，以及乙太網路供電(PoE)IC與中跨(midspan)產品。Microsemi總部位於美國加州Aliso Viejo，全球擁有約3000位員工。要了解詳情，請造訪其網站http://www.microsemi.com。
