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IR全新1200V IGBT為馬達驅動器及不斷電供應系統應用提升功率密度和效率

本文作者：國際整流器公司點擊： 2013-06-18 11:50

前言：

2013年6月17日--全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固可靠，並為工業用馬達驅動器及不斷電供應系統 (UPS) 而優化的1200V超高速絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 系列。

全新元件利用IR的場截止溝槽式超薄晶圓技術，減少導通和開關損耗。該等元件與軟恢復低Qrr二極體一起封裝，並具有10us最小短路時間額定值，為強固工業應用作出了有效優化。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「全新1200V溝槽IGBT配備了極低的Vce(on) 和低開關損耗，並且帶來更高的系統效率及穩固的瞬態效能，從而提高可靠性，以充分配合惡劣的工業環境。」

這些封裝元件適用於從10到50A的廣闊電流範圍。其他主要的性能效益包括高達150°C 的Tjmax、有助於並聯的正VCE(on) 溫度係數，以及能夠降低功耗和提升功率密度低VCE(on)。新元件亦可以裸片形式供應。

規格

採用封裝形式

元件編號	封裝	VCES	IC (標稱)	Vceon	Tsc (最小)
IRG7PH30K10D	TO-247AC	1200 V	10 A	2.0 V	10us
IRG7PH30K10D-E	TO247AD 長引線	1200 V	10 A	2.0 V	10us
IRG7PH37K10D	TO-247AC	1200 V	15 A	1.9 V	10us
IRG7PH37K10D-E	TO247AD長引線	1200 V	15 A	1.9 V	10us
IRG7PH44K10D	TO-247AC	1200 V	25 A	1.9 V	10us
IRG7PH44K10D-E	TO247AD長引線	1200 V	25 A	1.9 V	10us
IRG7PH50K10D	TO-247AC	1200 V	40 A	1.9 V	10us
IRG7PH50KD-E	TO247AD長引線	1200 V	40 A	1.9 V	10us
IRG7PSH54K10D	Super TO-247	1200 V	50 A	1.9 V	10us

採用裸片形式

元件編號	VCES	IC (標稱)	Vceon	Tsc (最小)
IRG7CH30K10B	1200 V	9 A	2.0 V	10us
IRG7CH37K10B	1200 V	15 A	1.9 V	10us
IRG7CH44K10B	1200 V	25 A	1.9 V	10us
IRG7CH50K10B	1200 V	35 A	1.9 V	10us
IRG7CH54K10B0-R	1200 V	50 A	1.9 V	10us
IRG7CH73K10B-R	1200 V	75 A	1.9 V	10us
IRG7CH75K10B-R	1200 V	100 A	1.9 V	10us
IRG7CH81K10B-R	1200 V	150 A	1.9 V	10us

產品現正接受批量訂單。全新元件符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS)。數據資料及IGBT產品選擇工具已在 IR 的網站 www.irf.com供應。產品選擇工具可直接在mypower.irf.com/IGBT存取。

關於美商國際整流器公司 (International Rectifier；IR)

國際整流器公司 (NYSE：IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的數位、類比和混合訊號IC及其他先進功率管理元件可用來驅動高效能運算，且為廣泛的商業和消費者應用節省能源。世界上有不少著名的電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航空和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步瞭解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。

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