2013年7月23日--香港商富士通半導體有限公司台灣分公司今日宣佈推出矽基板氮化鎵(GaN)功率元件晶片MB51T008A，耐電壓能達到150V。富士通半導體將於2013年7月開始為客戶提供樣品。MB51T008A的初始性能狀態為常關型(Normally-off)，與同級耐電壓的矽功率元件相比，MB51T008A的優值因數(FOM)可减低將近一半。採用富士通半導體的GaN功率器件，客戶能設計出體積更小、效率更高的電源元件，並廣泛運用於家電、ICT設備和汽車電子等領域。
圖1：MB51T008A
MB51T008A具備許多優點，包括：(1) 擁有13 mΩ的導通電阻，而總閘極電荷為16 nC。若使用相同的耐電壓，MB51T008A的優值因數(FOM)大約是矽功率元件的一半；(2) 採用WLCSP封裝，能達到最低的寄生電感並支援高頻率運作；(3) 專有的閘極設計，可預設關閉狀態，以執行常關型運作。MB51T008A對使用DC-DC轉換器中的高側開關和低側開關的資料通訊設備、工業產品和汽車電子而言，是最佳的選擇。此外，由於MB51T008A支援電源電路中更高的切換頻率，因此能縮小電源產品尺寸並提高效率。富士通半導體計畫於2013年7月開始為客戶提供樣品，並於2014年開始量產。
除了提供耐電壓達到150V的MB51T008A，富士通半導體還開發了耐電壓為600 V 和30 V的產品，進而有助於在更廣泛的產品線中提高電源效率。這些GaN功率元件晶片採用富士通研究所自1980年起開創研發的HEMT (高電子遷移率電晶體)技術。富士通半導體在GaN領域擁有多項專利技術和IP，可將GaN功率元件產品快速導入市場；並計畫與各領域中的客戶建立合作夥伴關係，以利未來拓展業務。
富士通半導體將於2013年7月17至19日，在日本東京國際博覽中心舉行的2013日本尖端技術展(TECHNO- FRONTIER 2013)中展出MB51T008A和GaN功率產品。富士通半導體也將展示效能提升且擁有2.5KW輸出功率的電源產品原型和測試資料，該產品的高頻率PFC模組和高頻率DC-DC轉換器採用了耐電壓達到600V的GaN功率元件。
MB51T008A產品規格
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漏極-源極耐電壓
V(BR)DSS |
150V
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閘極臨界電壓
VGS(th) |
1.8V
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漏極-源極導通電阻
RDS(on) |
13mΩ
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總閘極電荷
Qg |
16nC
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封裝
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WLCSP
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關於香港商富士通半導體有限公司台灣分公司(Fujitsu Semiconductor Pacific Asia Ltd., Taiwan Branch)
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