2013年9月26日--宜普電源轉換公司宣佈推出增強型氮化鎵功率電晶體系列產品中的最新成員- EPC2018。
EPC2018 電晶體為5.76 mm2、150 VDS、12 A的器件，其最大RDS(on)為25 mΩ，在柵極電壓為 5 V。它可以實現更高性能，因為它具備超高開關頻率、非常低的RDS(on)、超低QG以及具備超小型封裝。
與先進矽功率MOSFET器件相比，雖然阻抗相同，EPC2018 器件具備超小型封裝及在開關性能方面比矽功率MOSFET器件高出很多倍。受惠於氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的應用包括高速直流-直流電源、負載點轉換器、D類音頻放大器及許多需要納秒開關速度的電路等應用。
宜普公司創辦人及首席執行長Alex Lidow 稱“EPC2018 器件進一步替我們氮化鎵場效應電晶體系列開拓新天地。在功率轉換應用中，它提供低阻抗、低輸出電容、快速開關及因器件沒有反向恢復而可減少開關損耗。在D類音頻放大器應用中，它可以提高效率及改善音質。”
EPC2018器件在一千批量時的單價為6.54美元，客戶可以透過DigiKey公司在網上購買，網址為http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。
關於氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的設計資料及技術支援的資料
l EPC2018 資料表： http://epc-co.com/epc/Products/eGaNFETs/EPC2018.aspx
l eGaN FET 產品系列： http://epc-co.com/epc/Products/eGaNFETs.aspx
l 在GaN圖書館可以下載應用筆記及白皮書： http://epc-co.com/epc/GaNLibrary.aspx
表1：EPC2018 Specification Ratings總覽
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New EPC2018 |
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Package (mm) |
LGA 3.6 x 1.6 |
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RoHS and Halogen Free |
Yes |
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TJ(MAX) (oC) |
125 |
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VDS |
150 |
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VGS (max) |
6 |
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Max RDS(ON) @5VGS |
25 |
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QG typ (nC) |
5 |
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QG max (nC) |
7.5 |
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QGS typ (nC) |
1.3 |
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QGS max (nC) |
2 |
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QGD typ (nC) |
1.7 |
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QGD max (nC) |
2.6 |
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QOSS typ (nC) |
40 |
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QOSS max (nC) |
50 |
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VTH typ |
1.4 |
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QRR (nC) |
0 |
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ID (A) Pulsed |
60 |
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ID (A) |
12 |
宜普公司簡介
宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器 、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、遙距感測技術（LiDAR）及D類音頻放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽網站www.epc-co.com.tw。
