2013年10月11日--由於這種高性能氮化鎵功率電晶體可以工作在數吉赫茲頻段的功放電路中，功率系統及射頻設計工程師現在可以利用這種器件實現矽器件所不能推動的創新設計。
矽基增強型功率氮化鎵場效應電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司宣佈擴大其產品系列，推出高速、高效電晶體EPC8000器件系列。
宜普為功率電晶體開拓全新領域 ，第三代器件具備在低於納秒內從關斷過渡至導通的性能，使器件可用於10 MHz頻率以上的硬開關應用。即使在設計工作頻率10MHz以上時，這些產品也具有非常高的小信號射頻性能，並且在低吉赫茲頻率範圍內具有高增益，因此這些器件是射頻應用中極具競爭力的一個選擇。
宜普公司創辦人及首席執行長Alex Lidow稱“我們認為這個創新氮化鎵場效應電晶體系列可以改變業界。這些產品帶領宜普公司及氮化鎵電晶體技術走進全新領域，它們可以推動MOSFET器件所不能實現的應用，使得氮化鎵場效應電晶體可同時於功率半導體及射頻應用中發揮其卓越性能”。
產品包括具有125 mΩ 至 530 mΩ阻抗值及40 V、65 V及100 V阻隔電壓能力。這些全新電晶體具備幾個全新特性，讓工程師可以利用高效氮化鎵場效應電晶體設計創新產品。這些特性包括減少QGD，從而減少暫態開關損耗、改善米勒比（以提供高dv/dt抗擾性、低電感焊盤（使柵極及漏極電路連接良好）、柵極及漏極電路之間使用正交電流以減少共源電感（CSI），以及獨立的閘極回路連接，也是可以減少共源電感。
受惠於低功率、細小及高頻EPC8000器件系列的應用包括工作在數MHz範圍的硬開關功率轉換器、射頻功率放大器的波峰追蹤及替移動器件充電的無線電源傳送系統。
EPC9027 開發板配備EPC8007器件及半橋閘極驅動器積體電路LM5113已有供貨。 我們可提供其它開發板，以支持設計工程師師評估並在他們的功率轉換系統使用EPC8000器件系列。
EPC8000系列產品規格：
EPC8000系列的評估產品已有供貨，以十件樣品為一組裝運，客戶可以透過DigiKey公司在網上購買，網址為http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en
關於氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的設計資料及技術支援的資料
- 下載宜普公司eGaN FET數據表：http://epc-co.com/epc/Products.aspx
- EPC9027速查指南： http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9027_qsg.pdf
- “於數MHz應用中的eGaN FET”應用筆記：http://epc-co.com/epc/documents/product-training/AN015 eGaN FETs for Multi-Megahertz Applications.pdf
- 技術概述: http://epc-co.com/epc/documents/briefs/eGaN FET Product Brief_MultMegahertz Switching.pdf
宜普公司簡介
宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、遙距感測技術（LiDAR）及D類音頻放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw 。
