LTE (也就是
但要滿足使用者對 LTE 高資料傳輸率的期待,對目前的行動裝置來說將是一大挑戰。由於射頻前端的複雜度提高,因此裝置必須加入更多的射頻元件 (如切換器、雙工器和分頻器),整個系統的損耗和訊號雜訊比 (SNR) 的衰退也都會因此提高。此外,天線與射頻收發器之間的距離也會額外增加線路損耗,對 SNR 造成負面影響,進而降低資料傳輸率。
英飛凌 BGA7x1N6 及 BGM7xxxx4L12 系列具有低雜訊指數、精確的增益和高線性,能協助智慧型手機設計人員克服這些難題。這些產品採用英飛凌的先進矽鍺 (SiGe) 晶片技術,並內建 ESD 防護功能。
新推出的 LNA 和 LNA 模組同時建置於手機的天線分集和主集路徑,以提高系統的靈敏度,確保使用者獲得最佳的使用體驗。這些裝置比未採用 LNA 的解決方案提高多達 96% 的資料傳輸率,能讓 LTE 發揮最大功效。全新系列裝置具有高線性,即使在天線隔離度不佳,及天線與收發器間線路損耗過高的狀況下也能確保擁有優異的收訊。相較於未採用 LNA 的系統,此系列的一般靈敏度可改善 3.4 dB,LNA的封裝尺寸比舊款 LNA 縮小 70% (1.1 mm x 0.7 mm),LNA 模組的尺寸則縮小 61% (1.9 mm x 1.1mm)。
上市時間與封裝
英飛凌推出三款 LTE LNA 和七款四頻 LNA 模組系列,滿足世界各地對頻段組態的不同需求。系列名稱中的字母各自代表不同的頻段 (L 代表低頻段,0.7 至 1.0 GHz 頻段;M 代表中頻段,1.7 至 2.2 GHz 頻段;而 H 則代表高頻段,2.3 至 2.7 GHz 頻段)。
l BGA
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l BGA7H1N6
l BGM7LLHM
l BGM7LLMM
l BGM7MLLH
l BGM7MLLM
l BGM7LMHM
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裝置採用符合 ROHS 標準的 TSNP-6-2 或 TSLP 12-4 塑膠封裝。
有關 BGA7x1N6 LTE LNA 和 BGM7xxxx
關於英飛凌
英飛凌 (Infineon Technologies AG) 總部位於德國紐必堡(Neubiberg),提供各式半導體和系統方案,以因應現今社會的三大挑戰,包括能源效率 (energy efficiency)、移動性 (mobility)與安全性(security)。2013計年度 (截至9月底) 營收為38.4億歐元,全球員工約為26,700名。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所上市(交易代碼:IFX),並於美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier 掛牌(交易代碼:IFNNY)。
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