2014年2月13日--意法半導體將兩項新的封裝技術應用到三個先進的高壓功率MOFET系列產品，讓充電器、太陽能微逆變器和電腦電源等重視節能的設備變得更精巧、更穩健以及更可靠。
意法半導體先進的PowerFLAT™ 5x6 HV和PowerFLAT 5x6 VHV封裝擁有高達650V和800V電壓執行所要求的隔離通道長度和間隙，而封裝面積與工業標準的100V PowerFLAT 5x6封裝的5mm x 6mm相同，比主流的DPAK封裝縮小52%。此外，這兩個先進封裝僅有1mm的厚度，配備一個裸露的大面積金屬汲極接墊（metal drain pad），透過印刷電路板上的散熱通孔最大幅度地散熱。
這些功能同時提高了高壓輸出能力、穩健性、可靠性和系統功率密度。
意法半導體目前推出了三款採用PowerFLAT 5x6 HV封裝的650V MDmesh™ V MOSFET產品，並推出了四款額定電壓極高、採用PowerFLAT 5x6 VHV 800V封裝的SuperMESH 5 MOSFET。
此外，意法半導體已開始提供兩款採用PowerFLAT 5x6 HV 封裝的600 V 快速開關MDmesh II Plus low Qg MOSFET測試樣品。
詳情請瀏覽www.st.com/mosfet
關於意法半導體
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