意法半導體（ST）推出可促進環境保護並擁有高溫性能的功率晶片
2014年4月1日--橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出一系列新的先進產品。新產品讓電源設計人員能夠提高太陽能逆變器和電動車、企業運算（enterprise computing）和工業馬達驅動器（industrial motor drives）等諸多應用的能效。
意法半導體率先研發出工作溫度可高達到200°C的高壓碳化矽（silicon carbide，SiC）功率MOSFET。碳化矽固有屬性使其比傳統矽功率電晶體節省至少50%的能源，而且產品本身的尺寸更小且其崩潰電壓（breakdown voltage）更高。這項技術被視為持續改善系統能效、微型化和成本最佳化的一項重要開發。
電腦機房和數據中心居高不下的用電成本讓能效成為許多IT管理高層首要關注的問題。用碳化矽元件代替普通矽開關，有助於提高功率電源的能源利用率（PUE，Power Usage Effectiveness），PUE是衡量數據中心能效的指標。根據電腦產業拯救氣候行動組織（CSCI， Climate Savers Computing Initiative）的數據顯示，到2015年，高能效網路系統設備可節省50億美元的能源開支，減少3800萬噸的CO2 排放量。
碳化矽MOSFET還能用於太陽能逆變器，代替傳統的高壓矽絕緣閘雙極性電晶體（IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor）將太陽能電池的DC轉換成AC併入電網，無需任何特殊的驅動電路。此外，因為工作頻率高於IGBT，碳化矽MOSFET可縮減電源裝置的其它元件尺寸，從而降低電源成本，提高能效。
在電動車領域，碳化矽元件可大幅提高能效，降低汽車動力系統的尺寸。作為美國能源部與汽車工業的合作組織，美國汽車動力系統電氣電子技術研發小組（DRIVE Electrical & Electronics Technical Team）呼籲，到2020年，將汽車動力系統能耗降低大約二分之一，同時降低尺寸至少20%。該小組的開發藍圖將寬能隙（wide bandgap）半導體材料（即碳化矽技術）列為提高功率轉換效率的重點技術，並使該項技術能夠在更高的工作溫度下更安全可靠地工作。與普通矽元件和競爭對手的碳化矽MOSFET相比，意法半導體的碳化矽元件耐溫性能更高（200°C），從而有助於簡化汽車冷卻系統的設計。
意法半導體的新1200V碳化矽功率MOSFET SCT30N120的樣品已上市，預計在2014年6月投入量產。新產品採用意法半導體獨有的HiP247封裝，該封裝外形尺寸與工業標準封裝相同，特別針對耐高溫性能進行了最佳化設計。
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SCT30N120的主要產品特性:
l 通態電阻（RDS（ON））:
n 在25°C时，典型值為80mΩ
n 最高溫度至200°C的整個工作溫度範圍內，典型值≤100mΩ
l 低關機能源（turn-off energy）和閘極電荷（確保高能效和高速開關操作）
l 漏電流典型值低於10μA（比相同材料的其它元件提升系統能效和可靠性）
l 快速且穩健的基板原生二極體（節省外部續流二極體，降低成本和尺寸）
l 簡化閘極驅動電路（降低網路驅動成本）
l 最高工作溫度高達200°C（縮減印刷電路板尺寸，簡化熱管理系統設計）
關於意法半導體
意法半導體（STMicroelectronics；ST）是全球領先的半導體解決方案供應商，為感測及功率技術與多媒體融合應用領域提供創新的解決方案。從能源管理和節能技術，到數位信任和資料安全，從醫療健身設備，到智慧型消費性電子，從家電、汽車，到辦公設備，從工作到娛樂，意法半導體的微電子技術無所不在，在豐富人們的生活方面發揮著積極、創新的作用。意法半導體代表著科技帶動智慧生活（life.augmented）的理念。
意法半導體2013年淨收入80.8億美元。詳情請瀏覽意法半導體公司網站www.st.com。
