ROHM開發與傳統相比減少50％的世界最小電晶體「VML0604」
前言：
實現了低導通電阻化對於智慧型手機與穿戴式裝置的小型化、高功能化的大貢獻
2014年4月22日--ROHM公司（總公司位於京都市）此次專為智慧型手機與穿戴式裝置等要求小型、薄型的所有電子機器，研發出世界最小尺寸的電晶體「VML0604」（0.6mm×0.4mm、高度0.36mm）。
本產品已從10月開始出貨樣品（樣品價格80日圓/個），預計2014年6月起開始量產、月產能為1000萬個。此外，生産據點為前製程在ROHM公司（京都市）與ROHM Apollo公司（福岡縣）、後製程則在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰國）。
背景
近年來，以智慧型手機與穿戴式裝置為首的電子機器市場，設備的小型化與高功能化持續進展，對於搭載的電子零件部品一向要求小型化、薄型化。
另一方面，電晶體則除了貼合的穩定性、封裝的加工精度等技術課題之外，由於無法擴大搭載元件的尺寸、導通電阻上升的因素，產品線僅限於耐壓20V的產品。
近年來，以智慧型手機與穿戴式裝置為首的電子機器市場，設備的小型化與高功能化持續進展，對於搭載的電子零件部品一向要求小型化、薄型化。
另一方面，電晶體則除了貼合的穩定性、封裝的加工精度等技術課題之外，由於無法擴大搭載元件的尺寸、導通電阻上升的因素，產品線僅限於耐壓20V的產品。
特點
1. 實現世界最小尺寸、大幅減低安裝面積
此次，藉由新封裝與元件的新製程化，成功地開發出世界最小尺寸的電晶體「VML0604」（0.6mm×0.4mm、高度0.36mm）。
在封裝方面，内部構造的最佳化、透過導入高精度封裝加工技術，相較之前最小電晶體封裝的VML0806（0.8mm×0.6mm、高度0.36mm），嵌入面積減低50％。做為電晶體封裝成為世界最小尺寸。
1. 實現世界最小尺寸、大幅減低安裝面積
此次，藉由新封裝與元件的新製程化，成功地開發出世界最小尺寸的電晶體「VML0604」（0.6mm×0.4mm、高度0.36mm）。
在封裝方面，内部構造的最佳化、透過導入高精度封裝加工技術，相較之前最小電晶體封裝的VML0806（0.8mm×0.6mm、高度0.36mm），嵌入面積減低50％。做為電晶體封裝成為世界最小尺寸。
新封裝預計開展至小訊號MOSFET，將有助於設備的省空間化、高密度化。
2.藉由確保端子間隔，嵌入性也良好
隨著小型化的進展，基板的嵌入變得困難，此次藉由確保端子間隔0.2mm，
維持了良好的嵌入性。
隨著小型化的進展，基板的嵌入變得困難，此次藉由確保端子間隔0.2mm，
維持了良好的嵌入性。
3. 小型化之外，也達成世界最佳的低導通電阻
由於執行封裝的小型化，限制了可搭載元件的尺寸。元件尺寸小的情況下，導通電阻將變得非常高、維持以往的小訊號電晶體性能也困難。
不過，本產品藉由於元件上採用新製程，做為耐壓30V產品的超小型電晶體，可達成世界最高性能※的低導通電阻0.25Ω（VGS=4.5V時）。
4. 也追加了耐壓40～60V產品，
實現了豐富的產品線
相較以往，即使高耐壓也可維持低導通電阻，全新加入耐壓40～60V產品、擴充了產品線。
實現了豐富的產品線
相較以往，即使高耐壓也可維持低導通電阻，全新加入耐壓40～60V產品、擴充了產品線。
術語説明
・MOSFET
擁有高速交換特點的一種電晶體。
・導通電阻
於閘極－源極間施加任意電壓時的汲極－源極間的電阻值。數值小電流比較流通、損失少。
