安森美半導體推出能降低損耗的低壓功率MOSFET新系列，以達到業界對更高效率的需求
前言：
25 V裝置利用設計、封裝及材料技術以提供MOSFET功率效率基準，用於伺服器及電信交換機應用
2014年5月21日--推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新系列的6款N型通道金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)，它們經過設計及最佳化，提供領先業界效率，優於市場現有裝置。NTMFS4Hxxx及NTTFS4Hxxx系列MOSFET極適合用作伺服器、網路設備及高功率密度DC-DC轉換器等多種應用的開關裝置，或者用於配合負載點(POL)模組中的同步整流。這些裝置提供包含或不包含整合性肖特基二極體的不同版本，能幫助工程師提供更高的效率。
安森美半導體深知終端產品性能越來越強調高效率，故最佳化了新功率MOSFET的設計、材料及封裝，以降低損耗。0.7毫歐(mΩ)的一流導通阻抗(RDSon)性能和3780皮法(pF)的低輸入電容確保導電、開關及驅動器等損耗降至最低。安森美半導體經過仔細的考量，確保這些MOSFET提供較現有裝置更優秀的熱性能和低封裝阻抗及感抗。
安森美半導體功率分立產品副總裁兼總經理Paul Leonard說：「將導電及開關損耗降至最低以最佳化總效率，是越來越多終端市場設計人員期望可實現的目標。我們利用工藝、材料和封裝專業知識和技術，成功將功率MOSFET的性能提升到新的水準，以幫助客戶達到他們嚴格的設計性能目標。」
封裝及價格
NTMFS4H01N、NTMFS4H01NF、NTMFS4H02N及NTMFS4H02NF採用無鉛SO8-FL封裝，每1,500片批量的單價分別為2.99、3.06、1.86和1.93美元；NTTFS4H05N及NTTFS4H07N採用無鉛µ8-FL封裝，每1,500片批量的單價分別為0.86和0.67美元。
NTMFS4H01N、NTMFS4H01NF、NTMFS4H02N及NTMFS4H02NF採用無鉛SO8-FL封裝，每1,500片批量的單價分別為2.99、3.06、1.86和1.93美元；NTTFS4H05N及NTTFS4H07N採用無鉛µ8-FL封裝，每1,500片批量的單價分別為0.86和0.67美元。
關於安森美半導體
安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)致力於推動高能效電子的創新，使客戶能夠減少全球的能源使用。公司全面的高能效電源和訊號管理、邏輯、分立及訂製方案陣容，幫助設計工程師解決他們在汽車、通訊、電腦、消費電子、工業、LED照明、醫療、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質專案，及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括製造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網路。更多信息請訪問http://www.onsemi.com。
安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)致力於推動高能效電子的創新，使客戶能夠減少全球的能源使用。公司全面的高能效電源和訊號管理、邏輯、分立及訂製方案陣容，幫助設計工程師解決他們在汽車、通訊、電腦、消費電子、工業、LED照明、醫療、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質專案，及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括製造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網路。更多信息請訪問http://www.onsemi.com。
