2014年9月10日--美國高通公司 (Qualcomm, NASDAQ:QCOM) 之全資子公司美國高通技術公司(Qualcomm Technologies, Inc.;QTI)今日宣佈推出一系列新產品及技術,藉此將高性能運算及連接能力拓展至入門款及主流的智慧型手機和平板電腦。其Qualcomm® Snapdragon™ 200系列的最新成員 Snapdragon 210處理器將使入門款智慧型手機也能有多模 3G/4G LTE 技術和LTE 雙SIM卡的功能。QTI今日亦宣佈推出首款支援LTE的平板電腦參考設計,讓OEM及ODM廠商可開創並推出全新級別的多模3G/4G LTE平板電腦。平板電腦參考設計最初將包括Qualcomm Snapdragon 410及210處理器版本。此外,QTI公布其最新款式的28 nm 收發器,產品設計經優化以支援中端及入門級的LTE及LTE Advanced裝置,以及其新一代的Qualcomm RF360TM射頻前端方案,讓製造商能夠輕鬆的依據不同的全球和區域頻帶組合客製化LTE Advanced產品,同時提升性能及能效。
美國高通技術公司高級副總裁兼中國區首席運營官Jeff Lorbeck表示:「我們致力於讓高通所有階層的產品都能提供高效能的行動連線使用經驗,這些新產品將進一步鞏固我們的承諾,廣泛推動LTE及LTE Advanced技術,讓我們的客戶能有足夠的彈性,以可負擔的價格,提供高速連接及高規格的裝置行動體驗。」
Snapdragon 210處理器的更多特性包括:
• 無縫的LTE連線功能,以及全面整合的4G LTE-Advanced Cat 4載波聚合、LTE 廣播及LTE雙卡雙待(Dual SIM/Dual Standby)—各項技術均首度在此級別的產品中提供。
• 高畫質且具成本效益的多媒體體驗,支援Full-HD (1080p)播放及HEVC硬體解碼。
• 利用四核CPU及Qualcomm® Adreno™ 304圖像處理器,提升入門款裝置的性能及耗電率。
• 優越的攝影能力,支援八百萬像素相機,以及領先的計算攝影功能,包括零快門延遲(Zero Shutter Lag)、高動態範圍(HDR)、自動對焦、自動白平衡及自動曝光。
• 支援Qualcomm® Quick ChargeTM 2.0,完成充電的時間比未支援快速充電的裝置快達75%。
Qualcomm參考設計(Qualcomm Reference Design, QRD)版本的Snapdragon 210處理器有智慧型手機及平板電腦兩種設定,除上述功能外,還包括以下特性:
• 進階連接能力,包括整合的4G LTE-Advanced Cat 4載波聚合、RF收發器晶片WTR2955及Qualcomm RF360前端解決方案,以支援多頻及多模運作。
Snapdragon 410處理器之QRD也同樣有智慧型手機及平板電腦兩種設定,額外功能包括:
• 利用四核64位元及最新的Android™流動操作系統,提供高性能及低功耗的流動運算技術。
• 配備Adreno 306 GPU,帶來傑出的多媒體及圖像表現。
• 內建綜合性的4G LTE World Mode調制解調器,擁有高達150 Mbps的CAT4速度,不論何時何地皆通訊無界限。
至目前為止,已有40多個OEM及IDHS廠商於21個國家發佈了超過525個基於QRD的商用裝置,包括30多個支援LTE裝置。此外,超過160款基於QRD的LTE設計即將推出。預料其中一家率先利用全新的4G LTE Snapdragon 410參考設計推出平板電腦的是福興達科技實業有限公司(FOXDA Technology Industrial Co. Ltd),他們是全球消費電子產品品牌的EMS及ODM服務供應商。
福興達首席執行官Danny Zheng表示:「我們很高興能夠運用美國高通技術在連網功能上的專業知識,協助我們為大眾市場提供4G LTE平板電腦。憑藉如此強勁的參考設計,我們將能以更省時和更節省成本的方式開發功能齊全的連接設備,使消費者能更受惠。」
新一代的28nm收發器及RF360前端解決方案的其它功能包括:
• 兩個全新的28 nm收發器WTR4905和WTR2955,分別搭配Qualcomm Snapdragon 410及210處理器,並已為支援中低階LTE和LTE Advanced多模產品最佳化。
• 新一代的Qualcomm RF360 CMOS功率放大器及天線開關解決方案,同時提供整合和模組式架構,為應付日益複雜的載波聚合而設,讓產品製造商能輕鬆的客製化LTE Advanced產品的全球與區域頻帶組合,減少產品30%的大小,同時提升性能及能效。
• 新一代的Qualcomm RF360綜合功率放大器及天線開關QFE3320是一項可設定的載波聚合解決方案,經優化後可用於地區頻段組合,滿足目前中低階產品急需加入LTE Advanced系統的需求。
• 全新模組RF360前端方案使用兩組獨立的功率放大器 QFE3335/3345和天線開關QFE1035/1045,可提升雙載波聚合和3頻段 載波聚合的設計靈活性並簡化路由選擇,如此便能在單一個SKU支援所有第三代夥伴合作計劃(3rd Generation Partner Project,3GPP)所核准的LTE載波聚合之頻段組合,這些頻段組合已由或即將由全球網絡營運商實現商用。
• 新一代的Qualcomm RF360天線相配調諧器QFE25xx,具有更強的線性度及更佳的調制解調器控制,即使有具體的障礙物(如用家的頭或手),也能取得強勁的LTE連線。
預計採用Snapdragon 210處理器及參照QRD設計之平板電腦將於2015年上半年在商用市場問市。全新的RF360前端產品則預期會於2014年下半年推出。
關於美國高通公司
美國高通公司 (NASDAQ: QCOM))為全球3G、4G和新一代無線技術領導廠商,包括高通技術授權事業(Qualcomm Technology Licensing;QTL)及大部分的專利組合。美國高通技術公司 (Qualcomm Technologies, Inc.;QTI)為美國高通公司的全資子公司,與其子公司一起負責管理高通所有工程、研發及產品和服務業務,包括負責半導體業務的QCT。25年多來,高通公司的構想與創新已驅動數位通訊的演進,讓各地的人們與資訊、娛樂、以及彼此間 有更緊密的連結。