2014年10月15日--威世Vishay科技股份有限公司 (NYSE:VSH) 近期推出四款新型 IGBT 電源模組，此四款電源模組，專用於太陽能串列逆變器及中階功率不斷電電源供應器 (UPS) 等架構。威世Vishay半導體模組在單一封裝內，整合了 Ultrafast Trench IGBTs、高效率 HEXFRED® 、FRED Pt® 二極體與溫度偵測 (熱敏電阻) 元件，透過壓接技術(featuring press fit technology)，在3-level IGBT中結合inverter ，中立點鉗位 (NPC-neutral point Clamp) 技術與多通道interleaved 最大功率追蹤(MPPT-max power point tracking）升壓轉換器，Vishay提供其完整的解決方案。
近日所推出的整合方案，協助設計者縮短產品上市的時間並有效提升系統整體效能。在NPC架構中，VS-ENQ030L120S 提供1200 V，集極到射極(collector-to-emitter) 的崩潰(breakdown)耐壓，與30A的額定耐電流。在3-level IGBT inverter中VS-ETF075Y60U 與 VS-ETF150Y65U ，所提供的額定電流則分別為 75 A 與 150 A，其集極到射極的崩潰耐壓，則分別為 600 V 及 650 V，與 +175 °C 的耐溫。最佳化的double boost 轉換器中，已優化單相額定15A，耐壓1200 V的 VS-ETL015Y120H 。在整合高效率，矽晶圓升壓二極體(silicon boost diodes)、62 A 的旁路二極體(bypass diode)與電路版上的防短路線路，反向極性保護二極體(reverse polarity protection diodes) ，所有元件，皆具備模組化、可擴充性設計，滿足更高功率等級的應用。
在 EMIPAK-1B (VS-ENQ030L120S) 和 EMIPAK-2B (VS-ETF075Y60U、VS-ETF150Y65U 和 VS-ETL015Y120H) 封裝，電源模組的無焊壓合技術(solderless pressfit technology)，允許於更便利的 PCB 組裝，同時外露的 DBC 基板，能有效的降低熱阻。低內部漏感與能減少開關損耗，同時提供20 kHz的工作頻率。模組佈局已經過優化，有助於盡量減少雜散參數，從爾提升 EMI 效能。
元件全系列符合 RoHS，已通過 UL 認證，檔案編號 E78996 (VS-ENQ030L120S 認證正在進行)。Vishay的電源模組符合各種行業標準，並可根據特殊應用提供解決方案。
現已開始供應 IGBT 電源模組樣品並已實現量產，大宗訂單的交貨期為 10 到 12 週。
威世科技股份有限公司是在紐約證券交易所掛牌上市 (VSH) 的「財富 1000 強企業」，是全球最大的離散半導體（二極管、MOSFET、紅外線光電元件）與被動電子元件（電阻、電感器、電容器）製造商。這些元件幾乎能應用於工業、運算、汽車、消費品、電訊、軍事、航空航天、供電、及醫療市場的所有類型的電子器件與設備中。威世憑藉其產品創新、成功的收購策略、及「一站式」選購服務，成功掌執全球工業界牛耳。造訪威世網站請至 www.vishay.com。
