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英飛凌推出全新高功率模組平台免權利金提供業界封裝設計使用

本文作者：英飛凌點擊： 2014-12-16 09:32

前言：

2014年12月15日--英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 今日宣佈推出兩款全新功率模組平台，提升 1200V 至 6.5kV 電壓等級中高壓 IGBT 的效能。為讓更多廠商享有此全新模組的效益，英飛凌以免權利金的方式，授權此設計給所有 IGBT 功率模組供應商。採用此平台概念的首批產品包括高電壓等級 3.3kV (450A)、4.5kV (400A) 及 6.5kV (275 A)，全新設計的封裝尺寸為 100mm X 140mm X 40mm。這兩款全新模組將於 2015 年 PCIM 展會 ( 5 月 19 - 21 日，德國紐倫堡) 中上市。另外，較低電壓等級的封裝設計也正在開發當中。

英飛凌以免權利金的方式，授權此設計給所有 IGBT 功率模組供應商。採用此平台概念的首批產品包括高電壓等級 3.3kV (450A)、4.5kV (400A) 及 6.5kV (275 A)，全新設計的封裝尺寸為 100mm X 140mm X 40mm。可靠且高效能的 IGBT 模組是工業與牽引式馬達、風力與太陽能發電系統以及長距離電力傳輸等電力切換的主要技術。

經過三十年的運用，晶片技術發展使 IGBT 僅須小幅調整標準封裝技術，就能達到更高的能源效率，符合更高的運作溫度需求，並同時達到縮減尺寸、提升可靠性，及降低成本的目標。隨著各種應用的需求持續提升、環境益發嚴苛，上述方法已達到極限，使得高功率模組封裝技術的改變成為持續提升效能的關鍵。

英飛凌開發的全新模組平台可滿足高功率密度、能源效率、使用週期長與耐用性等新興系統需求。其彈性的概念可讓相似的零件以並聯方式連接，因此能夠簡化 DC 連結端子與電容的結構。AC 端子並聯也只需一個匯流排，新模組的彈性與擴充性將大幅簡化系統設計，有助達成開發人員的上市時間要求。全新高功率模組利用最新的封裝技術，有助於降低整體系統成本，並確保設計可符合未來的需求。英飛凌工業電源控制事業處高功率部門協理 Markus Hermwille 表示：「IGBT 技術面臨的挑戰持續增加，我們很高興能推出新的封裝技術，滿足業界當前與可預見未來的需求。我們非常肯定所有高功率應用都能因為這項全新模組封裝技術大為獲益。我們的目標是供應大量可靠的全新高功率平台，因此邀請業界共享利用這項設計成果。」

上市時間
首款採用全新封裝技術的產品是 3.3kV 模組，樣品將於 2015 年 5 月開始供貨，預計於 2016 年下半年開始量產。有關全新高功率平台的詳細資訊，請參閱：www.infineon.com/theanswer

關於英飛凌
英飛凌 (Infineon Technologies AG)總部位於德國紐必堡(Neubiberg)，提供各式半導體和系統方案，以因應現今社會的三大挑戰，包括能源效率 (energy efficiency)、移動性 (mobility)與安全性(security)。2014計年度(截至9月底)營收為43億歐元，全球員工約為29,800名。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所上市(交易代碼：IFX)，並於美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier 掛牌(交易代碼：IFNNY)。

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