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IR FastIRFET雙功率MOSFET採用4×5 PQFN功率模塊封裝為DC-DC應用提供高密度精密解決方案

本文作者:IR國際整流器公司       點擊: 2014-12-17 08:59
前言:
2014年12月16日--國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出採用高效能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。此項新的封裝選擇使IR的功率模塊產品系列效能得以延伸至更低功率的設計,適用於先進的電訊與網路通訊設備、伺服器、顯示卡、桌上型電腦、超輕薄筆電 (Ultrabook) 及筆記型電腦等12V輸入DC-DC同步降壓應用。
 

 
IRFH4257D配備IR新一代矽技術和專用封裝技術,以精密的4×5功率模塊提供卓越的溫度效能、低導通電阻(RDS(on)) 與閘極電荷 (Qg),帶來一流的功率密度和更低的開關損耗。
 
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:「IRFH4257D與IR其他FastIRFET元件一樣,可與各種控制器或驅動器搭配操作,為單相位或多相位應用提供設計靈活性,同時實現更高的電流、效率和頻率。現在產品系列增添了 IRFH4257D,設計人員便可選擇4×5或5×6 PQFN封裝以滿足其設計要求。」
 
IRFH4257D符合工業級和第一級濕度敏感度 (MSL1) 標準,其物料清單不但環保亦不含鉛,符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 。
 
規格
元件
PQFN
封裝尺寸
電流
額定值
4.5V下的
典型/最大 RDSon
4.5V下的典型QG (nC)
4.5V下的典型QGD (nC)
IRFH4257D
4x5
25A
3.7 / 4.6
1.65 / 2.1
10
23
3.4
7.6
 
產品現正接受批量訂單。數據資料已於IR網站www.irf.com供應。
 

關於美商國際整流器公司 (International Rectifier;IR)
國際整流器公司 (NYSE:IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的類比和混合訊號IC及其他先進功率管理元件可用來驅動高效能運算,且為廣泛的商業和消費者應用節省能源 。世界上有不少著名的電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航空和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步瞭解IR,敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com

 

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