2015年1月22日--宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC2102(60 V)及EPC2103（80 V）增強型單片式氮化鎵半橋元件。透過集成兩個eGaN®功率場效應電晶體而成為單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及空隙，使電晶體的占板面積減少50%。這會提高效率（尤其是元件在更高頻工作時）及增加功率密度並同時減低終端使用者的功率轉換系統的組裝成本。半橋式元件是面向高頻直流/直流轉換應用的理想元件。
在典型降壓轉換器採用EPC2103元件，在48 V轉12 V、500 kHz頻率下開關及 20 A輸出電流下可實現超過97%的系統效率。而EPC2102氮化鎵半橋元件（60 V）是半橋產品系列的最新成員，在42 V轉14 V、500kHz頻率下開關及18 A輸出電流下可實現98%的系統效率。
以上產品都使用晶片規模封裝方式，可改善開關速度及散熱性能，其尺寸只是6.05 毫米 x 2.3 毫米，功率密度更高。
在典型降壓轉換器採用EPC2103元件，在48 V轉12 V、500 kHz頻率下開關及 20 A輸出電流下可實現超過97%的系統效率。而EPC2102氮化鎵半橋元件（60 V）是半橋產品系列的最新成員，在42 V轉14 V、500kHz頻率下開關及18 A輸出電流下可實現98%的系統效率。
以上產品都使用晶片規模封裝方式，可改善開關速度及散熱性能，其尺寸只是6.05 毫米 x 2.3 毫米，功率密度更高。
| EPC2102 | EPC2103 | |
| Voltage | 60 V | 80 V |
| RDS(on) (typ.) | 3.2 mΩ | 3.8 mΩ |
| QG (Total Gate Charge) | 6.8 nC | 6.5 nC |
| Pulsed Drain Current (max) | 215 A | 195 A |
開發板
EPC9038及EPC9039開發板的尺寸為2英寸乘2英寸 (50.8 毫米x 50.8 毫米)，每塊開發板分別包含一個EPC2102或EPC2103集成半橋式元件。兩者皆採用德州儀器的閘極驅動器（LM5113）並含板載電源及旁路電容。開發板的佈局可實現最優開關性能並設有多個探孔使用戶可易於測量簡單的波形及計算效率。
產品價格及即時供貨詳情
EPC2102單片式半橋元件在批量為一千片時的單價為6.85美元。
EPC2103單片式半橋元件在批量為一千片時的單價為7.58美元。
EPC9038及EPC9039開發板的單價為137.75美元，可以立即透過Digi-Key公司購買。
關於氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的設計資訊及支援
· 下載EPC2102及2103資料表。
· 下載關於開發板的資料。
· 應用筆記：氮化鎵集成元件可實現更高直流/直流效率及功率密度：http://bit.ly/EPCan018
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商，爲首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器、光學遙感技術（LiDAR）及D類音頻放大器等應用，元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站，網址爲www.epc-co.com.tw 。
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