2015年2月24日--在加州聖荷西市舉行的國際光學工程學會 (SPIE) 先進微影技術研討會上，應用材料公司推出業界首創的產線用3D 臨界尺寸量測掃描式電子顯微鏡 (3D CD SEM) 量測系統，在測量3D快閃記憶體 (3D NAND) 和鰭式場效電晶體 (FinFET) 元件的高深比及複雜功能上，能有效克服瓶頸。最新的Applied VeritySEM® 5i系統，提供先進的高解析度影像及背向散射電子 (BSE) 技術，以實現優異的產線CD控制。使用VeritySEM 5i系統，可加速晶片製造商製程開發及產量提升，改善量產後的元件效能及良率。
應用材料公司企業副總裁暨製程診斷與控制事業處總經理依泰‧羅森費德 (Itai Rosenfeld) 表示：「複雜的 3D 結構需要新的測量維度，對量測技術的要求也因此更高，持續仰賴傳統的 CD SEM 技術來測量 3D元件，幾乎已不可行。以應用材料公司先進的電子束技術及影像處理的專精，這套機台所提供影像技術的創新，能針對元件進行快速精確的 CD SEM 量測，讓客戶在研發、產能擴充和量產過程中，得以觀察、測量和控制 3D 元件。多家客戶均因採用這套機台而從中受惠，明顯提高新式 3D 元件的良率。晶片製造商必須持續追求精密量測控制的新能力，才能轉移至 3D 架構並進入10 奈米以下的技術，VeritySEM® 5i 系統將不斷為業界樹立新標竿。」
日漸複雜的高效能高密度 3D 元件, 需要創新的精準量測，才能有效提高元件效能、減少變異性，進而提升良率。先進的高解析度 SEM 電子腔、傾斜式電子束和 BSE 影像，賦予了 VeritySEM 5i 系統獨一無二的 3D 量測能力，能為最重要且具挑戰性的 FinFET and 3D NAND 結構進行產線測量和監控。尤其適用於底部臨界尺寸 (CD) 的 BSE 影像，讓晶片製造商得以確保底層與疊覆金屬層間能夠正確連結。在控制 FinFET 側壁和閘極與鰭片高度方面，微小的變異量即會對元件效能和良率造成影響，而 VeritySEM 5i系統的傾斜電子束可提供精確且穩定的線上測量。高解析度 BSE 能強化垂直方向高深寬比的靈敏度，方便為非對稱側壁及 3D NAND 元件的 CD 底部進行測量，其深寬比可達60:1以上。
*SPIE 即國際光學工程學會；CD SEM 即臨界尺寸量測掃描式電子顯微鏡
應用材料公司是全球前五百大公司之一，專事製造先進的半導體、平面顯示、太陽光電的各項創新性設備、服務及軟體產品。應用材料公司的創新技術可協助諸如智慧型手機、平面電視及太陽能電池更具成本效益，更方便使用。查詢應用材料相關訊息，請至http://www.appliedmaterials.com。
應用材料公司企業副總裁暨製程診斷與控制事業處總經理依泰‧羅森費德 (Itai Rosenfeld) 表示：「複雜的 3D 結構需要新的測量維度，對量測技術的要求也因此更高，持續仰賴傳統的 CD SEM 技術來測量 3D元件，幾乎已不可行。以應用材料公司先進的電子束技術及影像處理的專精，這套機台所提供影像技術的創新，能針對元件進行快速精確的 CD SEM 量測，讓客戶在研發、產能擴充和量產過程中，得以觀察、測量和控制 3D 元件。多家客戶均因採用這套機台而從中受惠，明顯提高新式 3D 元件的良率。晶片製造商必須持續追求精密量測控制的新能力，才能轉移至 3D 架構並進入10 奈米以下的技術，VeritySEM® 5i 系統將不斷為業界樹立新標竿。」
日漸複雜的高效能高密度 3D 元件, 需要創新的精準量測，才能有效提高元件效能、減少變異性，進而提升良率。先進的高解析度 SEM 電子腔、傾斜式電子束和 BSE 影像，賦予了 VeritySEM 5i 系統獨一無二的 3D 量測能力，能為最重要且具挑戰性的 FinFET and 3D NAND 結構進行產線測量和監控。尤其適用於底部臨界尺寸 (CD) 的 BSE 影像，讓晶片製造商得以確保底層與疊覆金屬層間能夠正確連結。在控制 FinFET 側壁和閘極與鰭片高度方面，微小的變異量即會對元件效能和良率造成影響，而 VeritySEM 5i系統的傾斜電子束可提供精確且穩定的線上測量。高解析度 BSE 能強化垂直方向高深寬比的靈敏度，方便為非對稱側壁及 3D NAND 元件的 CD 底部進行測量，其深寬比可達60:1以上。
*SPIE 即國際光學工程學會；CD SEM 即臨界尺寸量測掃描式電子顯微鏡
應用材料公司是全球前五百大公司之一，專事製造先進的半導體、平面顯示、太陽光電的各項創新性設備、服務及軟體產品。應用材料公司的創新技術可協助諸如智慧型手機、平面電視及太陽能電池更具成本效益，更方便使用。查詢應用材料相關訊息，請至http://www.appliedmaterials.com。
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