2015年7月23日--意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出新款M系列 650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷且經濟實惠的能效解決方案，適用於暖通空調系統（HVAC）馬達驅動器、不間斷電源、太陽能轉換器以及所有硬開關（hard-switching）電路拓撲20kHz功率轉換應用。
採用意法半導體的第三代溝槽式場截止型（trench-gate field-stop）低損耗製程，M系列IGBT擁有一個全新溝槽／通道閘（trench gate）和特殊設計的P-N-P垂直結構，能在導通損耗和開關損耗之間找到了最佳平衡點，從而最大幅地提升電晶體的整體性能。在150°C初始接面溫度時，最小短路耐受時間為6µs，175°C最大工作接面溫度及寬安全工作範圍有助於延長元件的使用壽命，同時提升對功率耗損有極高要求的應用可靠性。
此外， 新產品封裝亦整合了新一代穩流二極體（Free-wheeling Diode）。新款二極體提供快速恢復功能，並同時保持低正向電壓降及高軟度。此項設計不僅可實現優異的EMI保護功能，還能有效降低開關損耗。正VCE(sat)溫度係數結合緊密的參數分佈，使新產品能夠安全平行，並滿足更大功率的要求。
M系列產品的主要特性:
• 650V IGBT，大部分的競爭產品都是600V；
• 低VCE(sat) (1.55V @25°C)電壓，能夠最大幅度地降低導通損耗；
• 出色的穩健性，擁有廣泛的寬安全工作範圍以及無鎖定效應（latch-free operation）；
• 業界最佳的Etot - Vce(sat) 平衡比；
• 175°C最大工作接面溫度;
• 高溫下的短路耐受時間最短6µs;
• 650V IGBT，大部分的競爭產品都是600V；
• 低VCE(sat) (1.55V @25°C)電壓，能夠最大幅度地降低導通損耗；
• 出色的穩健性，擁有廣泛的寬安全工作範圍以及無鎖定效應（latch-free operation）；
• 業界最佳的Etot - Vce(sat) 平衡比；
• 175°C最大工作接面溫度;
• 高溫下的短路耐受時間最短6µs;
• 電壓過衝非常有限，確保關機期間零振蕩
最新發佈的M系列擁有10A及30A兩種可選額定電流，提供各種功率封裝選擇，包括TO-220、D2PAK和TO-247 LL長針腳封裝，與意法半導體針對高頻工業應用所研發的HB系列650V IGBT（高達60 kHz）相互補足。新產品已開始量產。欲了解更多詳情，請瀏覽www.st.com/igbt
關於意法半導體
意法半導體（STMicroelectronics；ST）是全球領先的半導體解決方案供應商，為感測及功率技術與多媒體融合應用領域提供創新的解決方案。從能源管理和節能技術，到數位信任和資料安全，從醫療健身設備，到智慧型消費性電子，從家電、汽車，到辦公設備，從工作到娛樂，意法半導體的微電子元件技術無所不在，在豐富人們的生活方面發揮著積極、創新的作用。意法半導體代表著科技帶動智慧生活（life.augmented）的理念。
意法半導體（STMicroelectronics；ST）是全球領先的半導體解決方案供應商，為感測及功率技術與多媒體融合應用領域提供創新的解決方案。從能源管理和節能技術，到數位信任和資料安全，從醫療健身設備，到智慧型消費性電子，從家電、汽車，到辦公設備，從工作到娛樂，意法半導體的微電子元件技術無所不在，在豐富人們的生活方面發揮著積極、創新的作用。意法半導體代表著科技帶動智慧生活（life.augmented）的理念。
