Fairchild 推出效率及耐用性堪稱同類最佳的SuperFET III MOSFET 系列
前言：
SuperFET III MOSFET 具備更佳效率、EMI 及耐用性
是一款理想的高效能產品，能夠滿足耐用性及可靠性方面的嚴苛要求
2016年9月21日--Fairchild，現在是安森美半導體的一部分，今天推出其 SuperFET® III 650V N 通道 MOSFET 系列，這是公司推出的新一代 MOSFET，能夠滿足最新的電信、伺服器、電動汽車 (EV) 充電器及光伏產品對於更高功率密度、系統效率及出色的可靠性方面的要求。
SuperFET III MOSFET 系列兼具同類最佳的可靠性、低 EMI、出色的效率以及卓越的熱效能，使其成為高效能應用的理想選擇。除了出色的效能特性，其廣泛的封裝選擇更是錦上添花，賦予產品設計者更大的靈活性，對於尺寸受限的設計尤其如此。
Fairchild 大功率工業應用事業部副總裁兼總經理趙進表示︰「無論產業為何，我們的客戶都在不斷尋求以動態方式增強每一代新產品的效率、效能及可靠性，同時致力於加速新產品的上市。在設計全新 SuperFET III MOSFET 時，除了可幫助客戶滿足其關鍵產品目標，我們還將確保元件可降低物料成本，縮減電路板空間以及簡化產品設計。」
在任何驅動簡易的超接面 MOSFET 中，SuperFET III 技術均可實現最低 Rdson，同時提供同類最佳效率。該產品能夠實現這一優勢是因為它採用了先進的電荷平衡技術，相較其 SuperFET II 前代產品，在封裝尺寸相同的情況下，Rdson 可降低 44%。
SuperFET III 系列具有卓越的耐用性及可靠性，其中的關鍵因素在於其同類最佳的體二極體以及優於其最相近競爭產品三倍的單脈衝崩潰能量 (EAS) 效能。
650V SuperFET III系列在關斷期間具有較低的峰值汲源極電壓，在低溫運行時可增強系統可靠性，因為相較於室溫，在接面溫度為 -25℃ 的條件下，崩潰電壓自然而然地降低 5%，且峰值汲源極電壓在低溫下會增加。
這些可靠性優勢對於諸如光伏逆變器、不間斷電源 (UPS) 及 EV 充電器等應用尤其重要，此類應用必須能夠耐受更高或更低地外部環境溫度。SuperFET III MOSFET 系列今日上市，提供多種封裝及參數選擇︰
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元件編號 |
RDS(on) (最大值）(mΩ) @ VGS=10V |
Qg (Typ) (nC) @ VGS=10V |
封裝 |
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23 |
222 |
TO-247 4L |
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23 |
222 |
TO-247 3L |
|
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67 |
78 |
TO-247 3L |
|
|
67 |
78 |
TO-220 3L |
|
|
67 |
78 |
TO-220F 3L |
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|
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70 |
78 |
TO-263 2L (D2-PAK) |
欲知更多關於 Fairchild 的 SuperFET III MOSFET 系列的資訊，請造訪網站fairchildsemi.com/superfet。
關於 Fairchild：
Fairchild 是半導體產業的先驅，不僅歷史悠久，且創新的精神持續至今，我們的願景非常明確，就是致力打造更加潔淨與智慧的世界。我們專精於從低功率到高功率完整解決方案的開發與製造，為工程師及系統架構師提供非凡的設計經驗，助其建置適用於行動、工業、雲端、汽車、照明以及運算產業的各種系統。我們將指導原則奉為事業的基礎，其認為員工的投入與客戶的滿足是不可分離的，因此我們始終鼓勵員工做到化繁為簡、勇於挑戰、積極探索、出類拔萃、樂在其中、相互尊重、快速回應並直接溝通。只要您正在使用智慧型手機、駕駛車輛、擁有現代化裝置、居住在舒適的互聯建築中或正在觀賞電影動畫，那麼您肯定已經體驗過Fairchild的Power to Amaze。
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