2016年12月26日--英飛凌科技集團 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 旗下的 IR HiRel 公司推出第一款採用專屬 N 通道 R9 技術平台的抗輻射 MOSFET。相較於先前的技術，在尺寸、重量、功率上都更加精良。這對於如高傳輸量衛星系統的應用而言非常重要，可大幅降低其每位元價格比 (cost-per-bit-ratio)。這款 100 V、35 A 的 MOSFET 非常適用於年限高達 15 年以上的應用，包括太空等級直流對直流轉換器、中間匯流排轉換器、馬達控制器及其他高速切換設計等。
由英飛凌 IR HiRel 事業體開發的 IRHNJ9A7130 和 IRHNJ9A3130 具備完全抗 TID (總游離劑量) 的功能，抗輻射性分別為 100 kRad 及 300 kRad，25 mΩ 的 RDS(on) (典型) 比前一代裝置低 33%，結合了強化的汲極電流能力 (從 22 A 提升到 35 A)，使 MOSFET 在切換應用上能夠增加功率密度，降低功率損失。
英飛凌 IR HiRel為太空艱難任務應用提供強化抗輻射 MOSFET 系列產品。IRHNJ9A7130 和 IRHNJ9A3130採用密封、輕量、表面黏著陶瓷封裝 (SMD-0.5)，也提供裸晶類型。
這款 MOSFET 已提升抗單粒子事件效應 (SEE) 能力，並具備高達 90 MeV/(mg/cm2) 的直線能量轉移 (LET) 實用效能，比前一代高出 10% 以上。兩款新裝置均採用密封、輕量、表面黏著陶瓷封裝 (SMD-0.5) 技術，尺寸僅 10.28 mm x 7.64 mm x 3.12 mm，也提供裸晶類型。
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關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球半導體領導廠商，致力於讓生活更簡單、更安全、更環保。英飛凌的微電子是進化未來的關鍵技術。2016 會計年度 (截至9月底)，公司營收為 65 億歐元，全球員工約 36,300 名。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所上市(交易代碼：IFX)，並於美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier 掛牌(交易代碼：IFNNY)。
