2017年1月23日--東芝半導體與儲存產品公司宣布推出第二代650V碳化矽(SiC)蕭特基位障二極體(SBDs)，該產品提升了公司現行產品的湧浪順向電流(IFSM)約70%。8個碳化矽蕭特基位障二極體的新產品線也即將出貨。
此款碳化矽蕭特基位障二極體採用東芝第二代碳化矽的製程製造，相較第一代產品提升了70%的湧浪順向電流，且同時降低切換損失的“RON*Qc”指數[1]約30%，使其適合用於高效率的功率因素修正方案。
新產品有4A, 6A, 8A, 和10A四種額定電流，用非絕緣的「TO-220-2L」或絕緣的「TO-220F-2L」包裝。這些產品有助於改善4K大銀幕液晶電視、投影機和多功能印表機的電源供應器效率，以及電信基地台和PC伺服器的工業設備。
碳化矽蕭特基位障二極體產品線及主要規格（請見下頁）
|
包裝 |
特性 |
絕對最大額定值 |
電氣特性 |
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|
順向直流電流 |
非重複性峰值湧浪順向電流 |
功耗 |
順向電壓 |
陽極-陰極 導通電阻 |
接面電容 |
總電容電荷 |
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符號 |
IF(DC) |
IFSM |
Ptot |
VF |
Ron |
Cj |
QC |
|
|
數值 |
最大值 |
最大值 |
最大值 |
典型值 |
典型值 |
典型值. |
典型值 |
|
|
單位 |
(A) |
（A) |
(W) |
(V) |
（ｍΩ） |
（pF） |
（nC) |
|
|
測試條件/料號 |
- |
@ Half-sine Wave |
- |
@IF(DC) |
@IF(DC)× |
@VR=1 V |
@VR=400 V |
|
|
非絕緣 |
4 |
39 |
55.6 |
1.45 |
120 |
165 |
10.4 |
|
|
6 |
55 |
68.2 |
82 |
230 |
15.1 |
|||
|
8 |
69 |
83.3 |
62 |
300 |
19.7 |
|||
|
10 |
83 |
107 |
48 |
400 |
24.4 |
|||
|
絕緣 |
4 |
37 |
33.6 |
1.45 |
120 |
165 |
10.4 |
|
|
6 |
52 |
35.4 |
82 |
230 |
15.1 |
|||
|
8 |
65 |
37.5 |
62 |
300 |
19.7 |
|||
|
10 |
79 |
39.7 |
48 |
400 |
24.4 |
|||
註"[1] RON: 陽極-陰極 導通電阻， Qc: 總電容電荷
台灣東芝電子零組件股份有限公司 (TET) 簡介
台灣東芝電子零組件股份有限公司(Toshiba Electronic Components Taiwan Corporation)，負責東芝在台灣、中國大陸、港澳、東南亞和南亞地區等國家的儲存產品及台灣半導體的業務推廣及支援。台灣東芝電子零組件股份有限公司為筆記型電腦代工廠商、企業級伺服器儲存商及通路代理商的最佳合作夥伴，並以提供廠商最好的服務、最尖端的科技及最高品質的產品為宗旨。更多資訊，請參考東芝網站：http://toshiba.semicon-storage.com/tw/top.html
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