2017年10月24日--力旺電子最新推出編寫次數超過50萬次的嵌入式EEPROM（電子抹除式可複寫唯讀記憶體）矽智財(Silicon IP)，符合高溫、耐用及生命週期長的車規標準，為力旺在車用電子市場的最新佈局。
這項強化版IP是力旺NeoEE嵌入式EEPROM家族的最新產品。新版IP編寫次數是原版的數十倍，編寫/抹除(Program/Erase)時間則縮減近半，資料保存期限在150°C高溫操作下可達10年。
新版NeoEE與現有邏輯製程及車規常用的BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)製程完全相容，無需外加光罩即可整合至不同類型之製程平台。這項IP已通過晶圓廠0.18um/5V製程平台的驗證，力旺已著手佈建這項技術至其他5V平台。
強化版NeoEE非常適合有高編寫需求的應用，包括指紋辨識、智慧卡、NFC、RFID，電源管理IC和微處理器等。此外，這項IP的耐受度(endurance)、高溫操作及生命週期完全依照AEC-Q100的車規標準設計，並通過嚴格的測試。
可編寫記憶體經過重複編寫後，穩定度會逐次遞減，主要是因為重複編寫會改變記憶體的電子分布，導致編寫和抹除位元間的訊號差異愈來愈不明顯，最後終至無法分辨。
力旺電子的嵌入式非揮發性記憶體(Non-volatile Memory)矽智財市占率領先全球，已累積十多年的量產經驗。此次力旺透過優化記憶體單元架構及採用新的編寫/抹除運算法，減輕重複編寫造成的記憶體損耗，大幅提升NeoEE的重複編寫能力至50萬次以上。
強化版NeoEE經過長達2,500個小時150°C高溫測試後，編寫和抹除位元狀態依舊穩定，並無電流(壓)增加或流失的現象。
NeoEE結構簡單，抹寫次數可高達1千至50萬次以上，最高容量達16K bits，可操作溫度區間為-40~150°C，資料保存期限長達10年。
由於與現有邏輯製程完全相容，NeoEE無需外加任何光罩即可整合至不同類型之製程平台，代工廠導入成本極低且可節省產品開發時間。另外，NeoEE還具備低功率消耗的優點。
NeoEE 矽智財以標準5V MOS製程平台為開發基礎，容易整合至車用電子常使用的高壓(HV) 及BCD等製程平台。從成本及安全角度考量，結構簡單、安全的NeoEE是取代傳統外掛式EEPROM的理想選擇。
關於力旺電子
力旺電子(股票代碼:3529)成立於2000年8月，專注於邏輯製程嵌入式非揮發性記憶體矽智財開發。自成立迄今，力旺電子投入研發自有創新技術，開發出NeoBit(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoFuse(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoMTP(一千次以上重複讀寫編程元件)、NeoFlash(一萬次以上重複讀寫編程元件)、NeoEE(十萬次以上重複讀寫編程元件)等領先性產品，並持續發展先進技術，致力於提供客戶廣泛的矽智財技術服務、非揮發性記憶體元件與嵌入式記憶體應用等，為全方位之嵌入式非揮發性記憶體矽智財供應商。如需取得更多力旺相關資料，請參見官方網站：www.ememory.com.tw.
