2018年3月27日--先進半導體解決方案頂尖供應商──瑞薩電子(TSE:6723)今日宣佈,其採用28奈米製程技術的業界首款內建快閃記憶體微控制器(MCU)樣品開始出貨。為了實現更高效率及可靠性的下一代環保汽車和無人駕駛汽車,此革命性的RH850/E2x系列MCU整合了多達6個400 MHz的CPU核心,並成為業界第一款能實現最高處理性能(註1)9600 MIPS(註2)內建快閃記憶體的車用MCU。這款新推出的MCU系列還具有高達16MB的內建快閃記憶體,以及增強型的安全功能和功能安全性。
瑞薩針對輔助駕駛和自動駕駛所推出的開放、創新、且可信任的「Renesas autonomy™平台」,提供了端點對端點的解決方案,推動汽車產業朝向下一代環保汽車、聯網汽車、以及無人駕駛汽車的演進發展。此28奈米世代的汽車控制MCU是一款新的突破性產品,它採用了次世代技術以實現汽車的控制,搭配針對雲端連接與感測所設計的R-Car 家族系統單晶片(SoC),成為Renesas autonomy平台的兩大支柱。汽車OEM廠和一線製造商如Denso 公司等,已經開始採用此新款28奈米MCU,並見識到此MCU在開發下一代高燃料效能引擎上所提供的優越性能,以及隨著汽車電氣/電子(E/E)結構改變,此平台對於電子控制單元(ECU)整合需求所具備的無與倫比的擴展性。
新款RH850/E2x MCU系列主要特色:
高處理性能以實現環保汽車所需的複雜汽車控制
為了開發環保型車輛,次世代高燃料效能引擎需要具備很高的處理性能,以實現新型燃料燃燒系統(fuel combustion systems)。此外,為了實現電動車(EV)與插電式混合動力電動汽車(PHEV,plug-in hybrid electric vehicles)中,馬達和逆變器(inverter)的小型化與高效率化,需要同時具備高處理性能和高整合密度。這款新開發的28奈米製程快閃記憶體MCU,是全球首款實現高達6個400 MHz CPU核心和9600 MIPS處理能力的產品。與先前的40奈米MCU相比,新款的RH850/E2x系列MCU還能在相同功耗的條件下,達到將近三倍的性能。RH850/E2x以精準汽車控制功能所需要的加強型感測器介面,實現了更高的汽車系統整合度。瑞薩的合作夥伴則會提供針對此新型MCU的多核心虛擬環境(multi-core virtual environments)和基於模型(model-based)的開發環境。
進階版OTA更新讓聯網汽車擁有更大的快閃記憶體容量
市場上對於內建式大容量快閃記憶體的需求正不斷在提高當,以支援空中下載(OTA)功能。也就是透過自動且無線的方式更新ECU軟體,藉以控管程式來提高安全性。RH850/E2x系列配備了高達16MB的快閃ROM,且為了符合使用者的需要和偏好,可在寫入作業時只更新任意選擇區域。另外,RH850/E2x系列還帶有改良的串列式介面,包含了多達十個CAN FD和一個乙太網路通道。而支援Evita Medium的安全功能,也讓此MCU能夠為其軟體進行安全和快速OTA更新。
增強型無人駕駛汽車功能安全性
為了符合汽車E/E系統的ISO 26262功能安全標準中的最高等級ASIL-D,RH850/E2x系列採用了雙核心鎖步(dual core lock step)CPU結構,以確保兩個CPU核心所提供的計算相同,RH850/E2x並提供高達四組的CPU,同時改良了各種硬體的功能安全性。對於系統功能故障可能造成危及生命事故的應用來說,這些功能可在故障發生時立即檢測到故障,並保持系統的安全性。瑞薩將提供安全分析工具,以在各種應用場合中,靈活支援安全系統的實現。
繼2015年2月成功開發出28奈米嵌入式快閃記憶體之後,瑞薩於2016年9月宣布與台積公司在28奈米MCU上的合作。如今瑞薩再度達到一個重要的里程碑,也就是為市場提供了全球第一款的28奈米嵌入式快閃記憶體MCU樣品。瑞薩已成功驗證了鰭式結構MONOS快閃記憶體的大規模運作,以因應16/14奈米和更高世代MCU的需求。身為車用半導體解決方案的領導供應商,瑞薩承諾將藉由持續的技術創新,來推動產業的發展,以實現一個安全可靠的汽車環境。
為確保RH850/E2x系列產品的可擴展性,除了28奈米快閃記憶體MCU之外,瑞薩也推出具有上述(1)和(3)特性的40奈米製程MCU,這些MCU目前已在樣品供應階段。而RH850/E2x的28nm和40nm MCU樣品則計畫於2018年3月開始供貨。
關於RH850/E2x系列的產品規格,請參閱《附件》。
(註1)根據瑞薩的研究調查,截至今日與其他公司公佈數據的比較。
(註2)MIPS(每秒百萬指令):電腦處理能力的一種表示值。
關於瑞薩的MONOS(金屬氧化氮氧化矽)嵌入式快閃記憶體技術
MONOS是一種結構,其快閃單元(flash cell)中的每個電晶體,是由形成於矽基底上的三層結構所構成,包括:氧化物、氮化物、和氧化物,而其上方則有一金屬控制閘極。透過相關MCU和IC卡產品的供應,瑞薩已累積了超過二十年的MONOS快閃記憶體使用經驗。基於MONOS技術的使用經驗,瑞薩開發出適用於MCU內建快閃記憶體的分離閘(SG,Split-Gate)結構,成功地擴展了該技術。透過此新型「SG-MONOS」快閃記憶體,可實現具有高可靠性、高速度、和低功耗特性的MCU。
關於瑞薩電子
瑞薩電子(TSE:6723)以完整的半導體解決方案提供值得信賴的嵌入式設計與創新,使數以億萬計的智慧型裝置能夠相互連結,讓人們得以安全、安心地工作與生活。身為全球領先的微控制器、類比元件、電源IC、SoC及整合式平台供應商,瑞薩為汽車、工業、家用電子、辦公室自動化以及資訊通信科技…等廣泛的應用範圍提供先進的專業知識、品質與全面性的解決方案,協助人們實現大無限的未來。欲了解更多資訊,請造訪renesas.com。