2020年2月25日--英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 持續擴展其全方位的碳化矽 (SiC) 產品組合，新增 650 V 產品系列。英飛凌新發表的 CoolSiC™ MOSFET 能滿足廣泛應用對於能源效率、功率密度和耐用度不斷提升的需求，包括：伺服器、電信和工業 SMPS、太陽能系統、能源儲存和化成電池、UPS、馬達驅動以及電動車充電等。
英飛凌電源管理與多元電子事業處高壓轉換部門資深協理 Steffen Metzger 表示：「推出這項產品後，英飛凌在 600 V/650 V 電源領域完備了矽、碳化矽和氮化鎵型功率半導體產品組合。這也凸顯了我們在業界的獨特地位 – 我們是唯一一家推出涵蓋這三種電源技術多樣化產品的製造商。此外，最新的 CoolSiC 系列也展現了我們目標成為工業用 SiC MOSFET 開關供應商龍頭的決心。」
CoolSiC MOSFET 650 V 導通電阻介於 27 mΩ 至 107 mΩ，採用常見的 TO-247 3腳和 TO-247 4 腳封裝，有助於進一步降低切換損耗。如同先前推出的所有 CoolSiC MOSFET 產品，新的 650 V 系列亦採用英飛凌先進的溝槽式 (trench) 半導體技術，使 SiC 強大的物理特性能獲得最大的發揮，確保裝置達到最優異的可靠度、同級最佳的切換損耗和導通損耗。同時，這些裝置具備最高的跨導等級 (增益)、4 V 臨界電壓 (Vth) 和短路耐用度。溝槽式技術能使應用達到最低的損耗，和最高的運作可靠度，同時兼顧全方位效能。
相較於市場上其他的矽和碳化矽解決方案，650 V CoolSiC MOSFET 提供許多極具吸引力的優勢，例如：在更高頻率下的切換效率以及出色的可靠度。這些裝置具有非常低的導通電阻 (RDS(on)) 與溫度的相依性，散熱特性極其出色。裝置採用穩定可靠的本體二極體，擁有非常低的逆復原電荷 (Qrr)，較效能最好的超接面 CoolMOS™ MOSFET 降低了約 80%。裝置在整流方面的耐用度，有助於輕鬆達到 98% 的整體系統效率，例如：搭配連續傳導模式的圖騰柱電路功率因子校正 (PFC)。
為了簡化 CoolSiC MOSFET 650 V 的應用設計，確保裝置實現高效能運作，英飛凌亦推出專用的單通道和雙通道電氣隔離 EiceDRIVER™ 閘極驅動 IC。此解決方案結合了 CoolSiC 開關和專用的閘極驅動 IC，有助於降低系統成本和整體擁有成本，且能提高能源效率。CoolSiC MOSFET 也能與英飛凌 EiceDRIVER 閘極驅動器系列的其他 IC 無縫配合運作。
供貨情形
CoolSiC MOSFET 650 V 系列包含八個版本，分別採用兩種穿孔式 TO-247 封裝，即日起接受訂購。三款專用的閘極驅動 IC 亦將於2020 年 3 月推出。詳細資訊請瀏覽 www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes。
CoolSiC MOSFET 650 V 系列包含八個版本，分別採用兩種穿孔式 TO-247 封裝，即日起接受訂購。三款專用的閘極驅動 IC 亦將於2020 年 3 月推出。詳細資訊請瀏覽 www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes。
