2021年9月14日--領先的碳化矽（SiC）功率半導體製造商UnitedSiC（聯合碳化矽）公司，現已發佈業界最佳的750V、6mΩ器件，從而響應了電源設計人員對更高性能、更高效率的SiC FET的需求。這款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET競爭產品的一半，並且還提供了穩健的5μs額定短路耐受時間。今天所發佈的產品包括750V SiC FET系列中的9種新器件/封裝選項，額定值為6、9、11、23、33和44mΩ。所有器件均有採用TO-247-4L封裝的方案，同時18、23、33、44和60mΩ器件還提供了採用TO-247-3L封裝的方案。這一750V擴展系列與現有的18和60mΩ器件相輔相成，其為設計人員提供了更多的器件方案，實現了更大的設計靈活性，因此可實現最佳的性價比權衡，同時保持充足的設計裕度和電路穩健性。
UnitedSiC的第4代SiC FET採用了“共源共閘”拓撲結構，其內部整合了一個SiC JFET並將之與一個矽MOSFET封裝在一起。這兩者結合起來就提供了寬禁帶技術的全部優勢——可實現高速和低損耗以及高溫工作，同時還可保持簡單、穩定和穩健的閘極驅動，並具有內建的ESD保護。這些優勢可透過品質因數(FoM)進行量化，例如RDS(on)×A，這個指標衡量了每單位晶片面積的傳導損耗。在這個指標上，第4代SiC FET在高低裸晶溫度下均可達到市場最低值。RDS(on)×EOSS/QOSS這個FoM在硬切換應用中很重要，第4代SiC FET的這個值是最接近的競爭對手值的一半。RDS(on)×COSS(tr)這個FoM則在軟切換應用中至關重要，如果將UnitedSiC額定電壓為750V的器件與競爭對手額定電壓為650V的器件相比，前者的這個值比後者低約30%。對於硬切換應用，SiC FET的內建體二極體在恢復速度和正向壓降方面優於競爭對手的Si MOSFET或SiC MOSFET技術。第4代技術中所包含的其他優勢，則是透過先進的晶圓減薄技術和銀燒結貼片制程降低了從裸晶到外殼的熱阻。這些特性可在要求苛刻的應用中實現最大功率輸出，同時實現低裸晶溫升。
新的UnitedSiC SiC FET憑藉其在切換效率和導通電阻方面的最新改進，非常適合具有挑戰性的新興應用。其中包括電動汽車中的牽引驅動器以及車載和非車載充電器，以及可再生能源變頻器、功率因數校正、電信轉換器以及所有AC/DC或DC/DC功率轉換中單向和雙向功率轉換的所有階段。成熟的應用也可以從使用這種器件中受益——可以憑藉其與Si MOSFET和IGBT閘極驅動器以及成熟的TO-247封裝的向後相容性來輕鬆提高效率。
正如UnitedSiC總裁兼執行長Chris Dries所述：“UnitedSiC第4代SiC FET無疑是競爭技術中的性能領導者，並為寬禁帶切換技術樹立了新的標杆。新增的產品系列現在為所有的性能和預算規格以及更廣泛的應用提供了更多選擇。”
新款750V第4代SiC FET的定價（1000片起，美國離岸價）從UJ4C075044K3S的4.15美元到UJ4SC075006K4S的23.46美元不等。所有器件均可從授權經銷商處購買。
欲瞭解有關UnitedSiC的更多資訊，請訪問公司新網站：www.unitedsic.com。
關於UnitedSiC
UnitedSiC所開發的創新性碳化矽FET和二極體功率電晶體，可為電動汽車（EV）充電樁、DC-DC轉換器和牽引驅動器，以及電信/伺服器電源變速電機驅動器和太陽能光伏（PV）逆變器提供業界最佳的SiC效率和效能。
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