2021年11月18日--Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 為金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET) 推出節省空間、高熱效率的 TOLL (PowerDI®1012-8) 封裝，能在 175°C、100 瓦等級的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下運作，另外，80 瓦等級的 DMTH8001STLWQ 金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET) 比 TO263 佔據的 PCB 面積少了百分之二十。產品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。這特色讓產品成為高可靠性電力產品應用的最佳選擇，像是能量熱回收、積體啟動交流發電機以及電動汽車的 DC-DC 轉換器。
TOLL封裝採條帶鍵合封裝以達低封裝電阻及較低的寄生電感，使得 DMTH8001STLWQ、DMTH10H1M7STLWQ 和 DMTH10H2M5STLWQ 能夠在 10 W閘極驅動器下產生 1.3mΩ、1.4mΩ 和 1.68mΩ 的典型寄通電阻。此外，低寄生電感能改善 EMI 電路的表現。
由於焊接面積比 TO263 高出百分之五十，TOLL封裝能使接面的熱阻抗達 0.65°C/W， MOSFET 可處理高達 270A 的電流。鍍錫的梯形凹槽鉛錠有助於自動光學檢測 (AOI) 流程。金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET) 皆符合 AEC-Q101 等級規範，由 IATF 16949 認證的設施製造，並支援 PPAP 文件。
PowerDI® 為 Diodes Incorporated 在美國及其他國家/地區的註冊商標。
關於 Diodes Incorporated
Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 是一家標準普爾小型股 600 指數和羅素 3000 指數成員公司，為消費性電子、運算、通訊、工業及汽車市場的全球領先公司提供高品質半導體產品。我們擁有豐富的產品組合以滿足客戶需求，內容包括分離、類比、邏輯與混合訊號產品以及先進的封裝技術。我們廣泛提供特殊應用解決方案與解決方案導向銷售，加上全球 31 個據點涵蓋工程、測試、製造與客戶服務，使我們成為高產量、高成長的市場中成為優質供應商。詳細資訊請參閱 www.Diodes.com。
